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  • 避免踩坑 汽車配件氣密檢測(cè)設(shè)備的常見(jiàn)誤區(qū)與解決方案
    汽車配件氣密性檢測(cè)主要是把控質(zhì)量和安全重點(diǎn)，如何避免因測(cè)試方法或環(huán)境控制不當(dāng)導(dǎo)致檢測(cè)結(jié)果偏差。
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    05/23 11:15
  • 激光退火后 晶圓 TTV 變化管控
    摘要：本文針對(duì)激光退火后晶圓總厚度偏差（TTV）變化的問(wèn)題，深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)、晶圓預(yù)處理以及檢測(cè)反饋機(jī)制等方面，提出一系列有效管控 TTV 變化的方法，為提升激光退火后晶圓質(zhì)量提供技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：激光退火；晶圓；TTV 變化；管控方法 一、引言 激光退火作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，在改善晶圓電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用。然而，激光退火過(guò)程中產(chǎn)生的高熱量及不均勻的能量分布，易導(dǎo)致晶
  • GOA 電路及液晶面板激光修復(fù)方法
    引言 GOA（Gate On Array）電路憑借將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成于液晶面板基板的特性，有效簡(jiǎn)化了液晶面板結(jié)構(gòu)，在降低成本、提升集成度方面發(fā)揮重要作用。然而，在生產(chǎn)和使用過(guò)程中，GOA 電路及液晶面板不可避免會(huì)出現(xiàn)故障，因此，研究高效的激光修復(fù)方法，對(duì)保障液晶面板產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)效率具有重要意義。 GOA 電路的工作原理與結(jié)構(gòu)特性 GOA 電路基于移位寄存器原理構(gòu)建，通過(guò)多級(jí)電路單元級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)逐行掃
  • 確保雷電預(yù)警系統(tǒng)不漏報(bào) 要看這幾點(diǎn)
    眾多企業(yè)在購(gòu)置雷電預(yù)警系統(tǒng)之際，往往會(huì)關(guān)注預(yù)警設(shè)備的價(jià)格、性能以及準(zhǔn)確率等諸多方面的問(wèn)題。然而，作為抵御雷暴災(zāi)害的關(guān)鍵設(shè)備，零漏報(bào)才是其最基本的要求。換言之，雷電預(yù)警系統(tǒng)可以存在一定程度的誤報(bào)情況，但務(wù)必做到零漏報(bào)，如此方能確保我們?cè)诿看未蚶字畷r(shí)都能夠及時(shí)地進(jìn)行防護(hù)躲避。 難以想象，倘若雷電預(yù)警設(shè)備在打雷時(shí)未發(fā)出警報(bào)，出現(xiàn)漏報(bào)情況該如何是好？下面，易造小編將依據(jù)國(guó)標(biāo)內(nèi)容，歸納出幾點(diǎn)確保雷電預(yù)警系統(tǒng)
  • 從載荷控制到數(shù)據(jù)處理 多功能塑料硬度儀關(guān)鍵技術(shù)拆解
    在塑料性能測(cè)試領(lǐng)域，多功能硬度儀憑借精準(zhǔn)測(cè)試能力占據(jù)核心地位。載荷控制精度直接影響壓痕準(zhǔn)確性，數(shù)據(jù)處理則決定結(jié)果有效性。拆解其關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)理解工作原理、提升測(cè)試效能意義重大。
  • 細(xì)數(shù)高速脈沖測(cè)試的挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略，釋放PDV檢測(cè)潛力
    作者：泰克科技 Andrea Vinci 高速脈沖測(cè)試是現(xiàn)代科學(xué)研究的前沿領(lǐng)域，廣泛應(yīng)用于高能物理探索中的光子多普勒測(cè)速（PDV）和寬帶激光測(cè)速（BLR）等領(lǐng)域。這些測(cè)試需要精確捕捉和分析微秒甚至納秒內(nèi)發(fā)生的事件，對(duì)精度要求極高。微小的測(cè)量誤差可能導(dǎo)致顯著差異，進(jìn)而造成實(shí)驗(yàn)延誤、研究費(fèi)用增加以及數(shù)據(jù)完整性受損。 高速脈沖測(cè)試面臨諸多挑戰(zhàn)，包括數(shù)據(jù)采集速度、數(shù)據(jù)保真度、惡劣環(huán)境條件、空間限制、校準(zhǔn)與
    細(xì)數(shù)高速脈沖測(cè)試的挑戰(zhàn)與應(yīng)對(duì)策略，釋放PDV檢測(cè)潛力
  • 水?dāng)U散試驗(yàn)裝置核心技術(shù)解析 原理 結(jié)構(gòu)與精度控制要點(diǎn)
    在材料科學(xué)、環(huán)境工程、巖土力學(xué)等領(lǐng)域，水?dāng)U散試驗(yàn)裝置是研究材料性能的關(guān)鍵設(shè)備。本文將從核心原理、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與精度控制三方面，解析其核心技術(shù)，為相關(guān)研究提供參考。
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    05/22 16:50
  • 優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控
    摘要：本文針對(duì)濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問(wèn)題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測(cè)反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量。 關(guān)鍵詞：濕法腐蝕；晶圓；TTV 管控；工藝優(yōu)化 一、引言 濕法腐蝕是晶圓制造中的關(guān)鍵工藝，其過(guò)程中腐蝕液對(duì)晶圓的不均勻作用，易導(dǎo)致晶圓出現(xiàn)厚度偏差，影響 TTV 指標(biāo)。TTV 過(guò)高會(huì)降低芯片性能與良品率，
  • 南柯電子 30千瓦的便攜式電源EMC如何整改呢
    隨著戶外儲(chǔ)能設(shè)備、移動(dòng)電站等大功率電子設(shè)備的普及，30千瓦便攜式電源因功率密度高、應(yīng)用場(chǎng)景復(fù)雜，其電磁兼容性（EMC）問(wèn)題日益突出。據(jù)統(tǒng)計(jì)，近年來(lái)約60%的便攜式電源產(chǎn)品在CE、FCC等認(rèn)證中因傳導(dǎo)干擾、輻射超標(biāo)等問(wèn)題“爆雷”，導(dǎo)致整改成本增加、上市周期延長(zhǎng)。
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    05/22 16:46
  • 揚(yáng)聲器有效頻率揚(yáng)聲器有效頻率范圍測(cè)試方法范圍測(cè)試方法
    本篇文章想要給大家分享一下?lián)P聲器的有效頻率范圍這項(xiàng)指標(biāo)的一些測(cè)試方法，這個(gè)指標(biāo)在《GB/T 12060 聲系統(tǒng)設(shè)備》系列標(biāo)準(zhǔn)的第五部分：揚(yáng)聲器主要性能測(cè)試方法中有出現(xiàn)，此外在其他的一些音頻相關(guān)產(chǎn)品的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)中也有比較多的提到這項(xiàng)指標(biāo)，如果您正對(duì)這項(xiàng)指標(biāo)的測(cè)試方法有所疑問(wèn)的話，希望可以通過(guò)這篇文章的分享給您一些啟發(fā)。
  • 微機(jī)消諧裝置在工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用
    微機(jī)消諧裝置在工業(yè)領(lǐng)域主要用于治理電力系統(tǒng)諧波，保障電能質(zhì)量和設(shè)備安全。其核心應(yīng)用包括抑制變頻器、整流設(shè)備、電弧爐等產(chǎn)生的特征諧波，防止中性點(diǎn)不接地系統(tǒng)的鐵磁諧振，以及保護(hù)精密儀器、數(shù)據(jù)中心等敏感負(fù)載。裝置通過(guò)快速傅里葉變換（FFT）實(shí)時(shí)分析諧波，動(dòng)態(tài)調(diào)整治理策略，有效降低總諧波畸變率（THD），避免設(shè)備過(guò)熱、繼電保護(hù)誤動(dòng)等問(wèn)題。在新能源領(lǐng)域，它可優(yōu)化光伏、風(fēng)電并網(wǎng)諧波，并在微電網(wǎng)中維持穩(wěn)定運(yùn)行。此外，裝置集成智能監(jiān)測(cè)功能，支持?jǐn)?shù)據(jù)上傳至工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)平臺(tái)，助力能效管理。典型案例如化工、鋼鐵行業(yè)，諧波治理后THD顯著下降，節(jié)能效果顯著。未來(lái)，隨著工業(yè)智能化發(fā)展，微機(jī)消諧裝置將進(jìn)一步提升自適應(yīng)能力，成為電力系統(tǒng)諧波治理的關(guān)鍵設(shè)備。
  • 揭秘全自動(dòng)高壓漏電起痕試驗(yàn)儀的五大關(guān)鍵技術(shù)模塊
    在電氣絕緣材料性能檢測(cè)領(lǐng)域，全自動(dòng)高壓漏電起痕試驗(yàn)儀憑借其精準(zhǔn)高效的檢測(cè)能力，成為保障電氣設(shè)備安全運(yùn)行的重要設(shè)備。其卓越性能背后，是五大關(guān)鍵技術(shù)模塊的協(xié)同運(yùn)作，它們猶如精密儀器的 “心臟” 與 “神經(jīng)中樞”，確保試驗(yàn)過(guò)程的科學(xué)性與結(jié)果的可靠性。? 一、高壓電源發(fā)生模塊：提供核心驅(qū)動(dòng)力? 高壓電源發(fā)生模塊是試驗(yàn)儀產(chǎn)生高壓環(huán)境的源頭，對(duì)模擬真實(shí)電氣工況起著決定性作用。它多采用開(kāi)關(guān)電源技術(shù)，利用 IGBT 等高頻開(kāi)關(guān)器件，將輸入的交流電迅速轉(zhuǎn)換為高頻脈沖直流電，隨后經(jīng)升壓變壓器提升電壓等級(jí)，并通過(guò)整流濾波電路處理，輸出穩(wěn)定的高壓直流電。? 該模塊具備寬范圍電壓調(diào)節(jié)能力，通常可在 0 - 6kV 間連續(xù)調(diào)節(jié)，以適配不同試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電壓的要求。例如，在評(píng)估高電壓等級(jí)電氣設(shè)備絕緣材料時(shí)，需將電壓調(diào)至較高水平，加速電痕化進(jìn)程。為確保電壓輸出穩(wěn)定性，模塊運(yùn)用閉環(huán)反饋控制技術(shù)，通過(guò)電壓傳感器實(shí)時(shí)采集輸出電壓，與設(shè)定值對(duì)比后，自動(dòng)調(diào)節(jié)開(kāi)關(guān)器件工作參數(shù)，將電壓波動(dòng)控制在極小范圍內(nèi)，一般精度可達(dá) 0.1%，為試驗(yàn)提供穩(wěn)定可靠的電場(chǎng)環(huán)境。? 二、高精度滴液控制模塊：模擬污染環(huán)境 “催化劑”? 高精度滴液控制模塊負(fù)責(zé)向試樣表面滴加電解液，模擬電氣設(shè)備在潮濕且含導(dǎo)電雜質(zhì)環(huán)境中的工作狀態(tài)。作為加速電痕化的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其核心在于精確調(diào)控滴液速度與量。? 當(dāng)前先進(jìn)的試驗(yàn)儀多采用蠕動(dòng)泵或注射泵作為滴液動(dòng)力源。以蠕動(dòng)泵為例，通過(guò)電機(jī)精確控制泵管的擠壓與放松頻率，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定滴液。配合智能控制系統(tǒng)，滴液速度可在 0.075 - 0.9mL/min 范圍內(nèi)精準(zhǔn)調(diào)節(jié)，滿足不同試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)滴液速度的嚴(yán)苛要求。滴液頭設(shè)計(jì)同樣考究，特制毛細(xì)管或針頭確保電解液以均勻液滴形式滴落，且滴液頭位置與高度可靈活調(diào)整，適應(yīng)各類尺寸與形狀試樣，使液滴準(zhǔn)確落在電極與試樣接觸區(qū)域，有效促進(jìn)電痕化現(xiàn)象產(chǎn)生。? 三、電極與試樣固定模塊：確保試驗(yàn)條件一致性? 電極與試樣固定模塊關(guān)乎試驗(yàn)的準(zhǔn)確性與可重復(fù)性。電極作為施加電場(chǎng)的關(guān)鍵部件，材質(zhì)選擇極為重要，通常采用化學(xué)穩(wěn)定性與耐高溫、抗腐蝕性能卓越的鉑金。其形狀與尺寸嚴(yán)格遵循 IEC 60112、GB/T 4207 等標(biāo)準(zhǔn)，常見(jiàn)為兩個(gè)成 60°±5° 角度的鉑金刀片，尖端間距為 (4±0.1) mm ，確保在試樣表面形成均勻且穩(wěn)定的電場(chǎng)分布。? 試樣固定裝置則需保證試樣在試驗(yàn)過(guò)程中穩(wěn)固且位置精準(zhǔn)。通過(guò)機(jī)械結(jié)構(gòu)與氣動(dòng)或電動(dòng)控制結(jié)合，該裝置能快速將試樣固定在試驗(yàn)臺(tái)上，并提供可調(diào)節(jié)的夾緊力，既防止試樣因夾緊力不足位移，又避免因過(guò)大夾緊力導(dǎo)致變形損壞。同時(shí)，配備的高精度定位機(jī)構(gòu)可使電極每次都能準(zhǔn)確放置在試樣預(yù)定位置，保障每次試驗(yàn)的電極與試樣相對(duì)位置一致性，大幅提升試驗(yàn)結(jié)果的可靠性。? 四、智能控制系統(tǒng)模塊：試驗(yàn)流程的 “大腦”? 智能控制系統(tǒng)模塊猶如試驗(yàn)儀的 “大腦”，統(tǒng)籌協(xié)調(diào)各個(gè)模塊工作，實(shí)現(xiàn)試驗(yàn)流程的自動(dòng)化與精準(zhǔn)化。它由 PLC（可編程邏輯控制器）與工業(yè)計(jì)算機(jī)協(xié)同構(gòu)成。? PLC 作為底層控制單元，實(shí)時(shí)采集試驗(yàn)過(guò)程中的電壓、電流、溫度、液位等多類傳感器信號(hào)。當(dāng)監(jiān)測(cè)到試驗(yàn)電流超過(guò)設(shè)定起痕判定閾值，或液位低于標(biāo)準(zhǔn)值等異常情況時(shí)，能在毫秒級(jí)時(shí)間內(nèi)做出響應(yīng)，觸發(fā)相應(yīng)保護(hù)機(jī)制或控制指令，如迅速切斷高壓電源保障安全，或啟動(dòng)補(bǔ)液裝置維持電解液供應(yīng)。工業(yè)計(jì)算機(jī)作為上層管理核心，通過(guò)專用試驗(yàn)控制軟件，為操作人員提供便捷人機(jī)交互界面。在此界面上，可輕松完成試驗(yàn)參數(shù)設(shè)置，如試驗(yàn)電壓、滴液速度、試驗(yàn)時(shí)間等；軟件還具備強(qiáng)大的數(shù)據(jù)記錄、分析與報(bào)表生成功能，將試驗(yàn)數(shù)據(jù)以直觀圖表、曲線形式呈現(xiàn)，方便用戶深入分析評(píng)估材料耐電痕化性能。? 五、數(shù)據(jù)采集與分析模塊：洞察試驗(yàn)結(jié)果 “慧眼”? 數(shù)據(jù)采集與分析模塊是獲取和解讀試驗(yàn)信息的關(guān)鍵。高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)配備高精度數(shù)據(jù)采集卡與信號(hào)調(diào)理電路，能以極快采樣速率捕捉試驗(yàn)過(guò)程中電壓、電流、溫度等參數(shù)的動(dòng)態(tài)變化。例如，在電痕化起始階段，電流變化迅速且微妙，該系統(tǒng)可精準(zhǔn)采集數(shù)據(jù)，確保不遺漏關(guān)鍵信息。? 數(shù)據(jù)分析與處理軟件則對(duì)采集到的數(shù)據(jù)進(jìn)行深度挖掘。通過(guò)濾波、平滑、插值等預(yù)處理，去除噪聲與異常數(shù)據(jù)，提高數(shù)據(jù)質(zhì)量。軟件可繪制參數(shù)隨時(shí)間變化曲線，直觀展示試驗(yàn)進(jìn)程；自動(dòng)計(jì)算電痕化指數(shù)、起痕時(shí)間等核心指標(biāo)，并依據(jù)試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)材料耐電痕化性能進(jìn)行科學(xué)評(píng)估分級(jí)。同時(shí)，支持?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)、導(dǎo)出與打印，便于用戶存檔與生成詳細(xì)試驗(yàn)報(bào)告，為電氣材料研發(fā)、質(zhì)量控制提供有力數(shù)據(jù)支撐。? 全自動(dòng)高壓漏電起痕試驗(yàn)儀的這五大關(guān)鍵技術(shù)模塊相輔相成，從模擬試驗(yàn)環(huán)境、精準(zhǔn)控制試驗(yàn)條件，到智能管理試驗(yàn)流程與深度分析試驗(yàn)數(shù)據(jù)，共同構(gòu)建起一套完善、高效的檢測(cè)體系，為電氣絕緣材料性能評(píng)估提供堅(jiān)實(shí)技術(shù)保障，推動(dòng)電氣工業(yè)安全穩(wěn)定發(fā)展。
  • 告別漫長(zhǎng)等待 3D測(cè)量竟然可以如此的絲滑
    原理介紹 海伯森3D閃測(cè)傳感器HPS-DBL系列采用超高速投影方式向測(cè)量對(duì)象上投射出不同波長(zhǎng)的特殊圖案,并采集物體表面的圖案信息,配合海伯森HPS-NB3200高性能視覺(jué)控制器和內(nèi)置AI解碼算法對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行實(shí)時(shí)處理，快速得到全視角的彩色高精度2D圖像和3D點(diǎn)云。 產(chǎn)品優(yōu)勢(shì) 1.高精度的在線3D檢測(cè) -采用業(yè)界頂級(jí)的CMOS感光元件和超低畸變遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng)，一次拍攝就可以得到被測(cè)工件的XYZ三維高精度數(shù)
  • 二手東京電子 CELESTA 晶圓清洗供液系統(tǒng)及晶圓清洗裝置
    摘要：本文對(duì)二手東京電子 CELESTA 晶圓清洗供液系統(tǒng)及晶圓清洗裝置展開(kāi)研究，詳細(xì)介紹供液系統(tǒng)的組成、工作原理及功能特性，闡述晶圓清洗裝置的架構(gòu)與運(yùn)行機(jī)制，分析二者在晶圓清洗過(guò)程中的協(xié)同工作模式，為優(yōu)化二手設(shè)備清洗工藝提供理論依據(jù)與技術(shù)參考。 一、引言 在半導(dǎo)體晶圓制造領(lǐng)域，晶圓清洗是保證芯片質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。二手東京電子 CELESTA 晶圓清洗設(shè)備憑借其良好的性能和成本優(yōu)勢(shì)，在行業(yè)內(nèi)得到廣泛
  • ADC測(cè)試新選擇：A10音頻分析儀
    在電子設(shè)備研發(fā)領(lǐng)域，模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的性能直接決定了系統(tǒng)的好壞，因此ADC測(cè)試環(huán)節(jié)是必不可少的。ADC測(cè)試通常需要從精度、功耗、傳輸速度等多個(gè)方面進(jìn)行評(píng)估，以確保其能夠滿足設(shè)計(jì)需求與實(shí)際應(yīng)用中對(duì)準(zhǔn)確性和可靠性的需求。如何從噪聲干擾、信號(hào)失真、環(huán)境波動(dòng)等諸多影響因素中實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)確的ADC測(cè)試？音頻分析儀A10為工程師們提供了一個(gè)不錯(cuò)的ADC測(cè)試解決方案。
    ADC測(cè)試新選擇：A10音頻分析儀
  • RWC2500A Plus：FMAB的繼承者與廣播測(cè)試的新標(biāo)桿
    在廣播行業(yè)，測(cè)試儀器是確保信號(hào)質(zhì)量和設(shè)備性能的關(guān)鍵工具。二十多年前，R&S（羅德與施瓦茨）推出的FMAB曾是廣播發(fā)射機(jī)測(cè)試領(lǐng)域的行業(yè)標(biāo)桿。憑借其出色的性能和可靠性，F(xiàn)MAB迅速成為廣播工程師的首選設(shè)備。然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步和市場(chǎng)需求的變化，F(xiàn)MAB逐漸退出歷史舞臺(tái)。如今，度緯科技聯(lián)合RWC推出的RWC2500A Plus正以全新的姿態(tài)繼承FMAB的使命，成為廣播測(cè)試領(lǐng)域的新標(biāo)桿。
    RWC2500A Plus：FMAB的繼承者與廣播測(cè)試的新標(biāo)桿
  • L3+智能座艙時(shí)代 主機(jī)廠三大核心需求揭秘
    艙內(nèi)感知模型遇數(shù)據(jù)瓶頸？真實(shí)采集成本高、隱私限制嚴(yán)、長(zhǎng)尾場(chǎng)景稀缺！行業(yè)正轉(zhuǎn)向合成數(shù)據(jù)破局，但仍面臨諸多困難。本文為大家詳細(xì)揭秘析主機(jī)廠和算法供應(yīng)商的三大需求核心，加速破局！
  • 用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)
    摘要：本文針對(duì)晶圓切割過(guò)程中 TTV（總厚度偏差）控制難題，提出一種用于切割晶圓 TTV 控制的硅棒安裝機(jī)構(gòu)。詳細(xì)介紹該機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、工作原理及其在控制 TTV 方面的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，為提升晶圓切割質(zhì)量提供新的設(shè)備方案 。 一、引言 在晶圓制造過(guò)程中，切割環(huán)節(jié)對(duì)晶圓 TTV 有著重要影響。精確控制晶圓 TTV 是保障芯片性能和良品率的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)硅棒安裝方式在切割過(guò)程中，因硅棒固定不穩(wěn)定、定位精度低
  • GOA 液晶面板的電性能檢測(cè)方法及液晶激光修復(fù)機(jī)
    引言 GOA（Gate On Array）液晶面板作為新型面板技術(shù)，將驅(qū)動(dòng) IC 的晶體管集成于玻璃襯底，實(shí)現(xiàn)圖像快速刷新與節(jié)能，具備更快響應(yīng)速度和更低功耗，代表未來(lái)液晶面板技術(shù)發(fā)展方向。對(duì)其電性能檢測(cè)及故障修復(fù)技術(shù)的研究，對(duì)提升產(chǎn)品質(zhì)量與良品率意義重大。 GOA 液晶面板工作原理與電性能參數(shù) GOA 液晶面板通過(guò)在玻璃襯底集成驅(qū)動(dòng)電路，控制液晶分子在電場(chǎng)下的方向與開(kāi)合程度，實(shí)現(xiàn)圖像顯示。其電性能
  • 通用開(kāi)關(guān)與矩陣開(kāi)關(guān)卡及多路復(fù)用開(kāi)關(guān)的區(qū)別
    ? ? ? ?1、通用開(kāi)關(guān)是指由單個(gè)繼電器構(gòu)成的一類開(kāi)關(guān)體系結(jié)構(gòu)。用戶可以將這些繼電器互連，形成標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，如 MUX 或矩陣，應(yīng)用到自己的體系結(jié)構(gòu)，或者簡(jiǎn)單地用于切換單個(gè)信號(hào)線的通斷。當(dāng)用于創(chuàng)建更大的標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)時(shí)，這種方法的缺點(diǎn)就是成本相對(duì)較高，或者性能較低，主要是因?yàn)檫B接器較高的引腳使用率，加上需要將繼電器與連接器都要連接在一起， 從而也導(dǎo)致密度很低。? ? ? ? 然而，這也使得他們非常
    通用開(kāi)關(guān)與矩陣開(kāi)關(guān)卡及多路復(fù)用開(kāi)關(guān)的區(qū)別

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