英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)
SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個支柱簡單講,就是技術(shù),質(zhì)量,產(chǎn)量和產(chǎn)品。垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFET(如CoolSiC?器件)通過體二極管提供反向?qū)窂?,可以用作變流器中的續(xù)流二極管。由于SiC的寬帶隙,該二極管的轉(zhuǎn)折電壓VT約為3V,相對較高。這意味著完全依賴其續(xù)流,連續(xù)工作將導(dǎo)致高導(dǎo)通損耗。