據(jù)悉，三星電子繼平澤工廠(chǎng)之后，已制定計(jì)劃在華城工廠(chǎng)建設(shè)1c DRAM（第6代10nm級(jí)DRAM）量產(chǎn)線(xiàn)。預(yù)計(jì)該項(xiàng)投資最早將于今年年底完成，此舉被解讀為反映了公司內(nèi)部對(duì)提高收益率的信心。

1c DRAM也是將應(yīng)用于三星電子“HBM4（第六代高帶寬存儲(chǔ)器）”的關(guān)鍵產(chǎn)品。有分析認(rèn)為，三星電子在最新HBM的商業(yè)化上遇到困難，目前正表現(xiàn)出積極的量產(chǎn)意愿。

據(jù)業(yè)內(nèi)人士5月22日透露，三星電子計(jì)劃今年下半年在華城市和平澤地區(qū)投資增加1c DRAM產(chǎn)能。

今年早些時(shí)候，三星電子開(kāi)始在其平澤第四園區(qū)（P4）建設(shè)第一條1c DRAM量產(chǎn)線(xiàn)。當(dāng)時(shí)投資規(guī)模較小，為每月3萬(wàn)張。三星電子一直奉行先做好1c DRAM初期量產(chǎn)的準(zhǔn)備，以后再根據(jù)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)進(jìn)度擴(kuò)大投資的戰(zhàn)略。

目前三星電子正在商談追加投資，擴(kuò)大今年下半年P(guān)4工廠(chǎng)的1c DRAM產(chǎn)能，預(yù)計(jì)規(guī)模至少達(dá)到每月4萬(wàn)張。

此外，預(yù)計(jì)最早將于今年年底在Mars 17號(hào)線(xiàn)進(jìn)行1c DRAM的轉(zhuǎn)換投資。據(jù)了解，該公司目前正在制定內(nèi)部計(jì)劃，并與合作伙伴進(jìn)行詳細(xì)討論。

三星電子華城17號(hào)線(xiàn)是一條主要生產(chǎn)1z（10納米級(jí)第三代）DRAM的生產(chǎn)線(xiàn)。?DRAM屬于傳統(tǒng)工藝，產(chǎn)量正在快速減少。三星電子已投資將1b DRAM轉(zhuǎn)換為位于附近華城市的15號(hào)和16號(hào)生產(chǎn)線(xiàn)。

三星電子決定在其華城和平澤工廠(chǎng)具體化1c DRAM投資計(jì)劃，這反映出其對(duì)提高產(chǎn)量的信心。

一位半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士表示：“三星電子內(nèi)部對(duì)1c DRAM良率的提升給予了積極的評(píng)價(jià)。目標(biāo)是在第三季度獲得重新設(shè)計(jì)產(chǎn)品的內(nèi)部量產(chǎn)批準(zhǔn)（PRA）”。他補(bǔ)充道，“即使在PRA之后，實(shí)際量產(chǎn)仍有許多問(wèn)題需要解決，但設(shè)施投資計(jì)劃正在穩(wěn)步推進(jìn)?！?/p>

1c DRAM是三星電子計(jì)劃最早在今年年底量產(chǎn)的最新一代DRAM。這種?DRAM?對(duì)三星電子如此重要的原因在于其在?HBM?領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。與?SK?海力士和美光等主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手為?HBM4?采用?1b DRAM?不同，三星電子決定為?HBM4?應(yīng)用?1c DRAM。

通過(guò)這種方式，三星電子可能會(huì)顯著提高核心芯片的性能，這是HBM?性能的關(guān)鍵要素。另一方面，由于技術(shù)難度較高，也存在降低產(chǎn)品良率的局限性。由于這是可以改變現(xiàn)狀的大膽挑戰(zhàn)，因此三星電子正在通過(guò)比草案增加1c DRAM的芯片尺寸來(lái)補(bǔ)充穩(wěn)定性。