三星電子開始投資可大規(guī)模生產的“1c” DRAM。據了解，近期已向相關合作伙伴訂購了生產設備，安裝工作將于明年2月左右開始。

由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關鍵要素，因此看來正在為及時量產該產品做好準備。

據業(yè)內人士12月9日透露，三星電子最近開始訂購設備，用于在平澤第四園區(qū)（P4）建設1c DRAM量產線。

三星平澤P4工廠是三星電子的一個重要半導體生產中心，分為四期建設。第一期為NAND閃存生產，第二期原計劃為邏輯代工，但現(xiàn)已調整策略，三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設，將三期和四期專注于DRAM內存的生產?，每一期總投資超30萬億韓元（1521億元人民幣）。

1c DRAM 是第六代 10 納米 DRAM。電路線寬約為 11 至 12 納米 (nm)，是比目前商業(yè)化的最新一代1b（第5代）DRAM領先一代的產品，預計從明年開始全面商業(yè)化。

因此，三星電子也一直在重點開發(fā)1c DRAM。去年第三季度，取得了明顯的成果，例如首次獲得了1c DRAM的“好芯片”（正常運行的芯片）。

此外，三星電子已經開始準備量產1c DRAM。最近發(fā)現(xiàn)P4內的新DRAM生產線已投資用于量產1c DRAM的設備。到目前為止，1c DRAM 僅在試生產線上生產。

因此，主要設備公司的設備預計將于明年第一季度開始引進，按投資規(guī)模計算產能約為每月15000片。雖然目前規(guī)模不大，但據報道正在討論追加投資的事宜。

半導體行業(yè)的一位人士表示，“曾討論過每月投資約 30000片，但三星電子最近確認的采購訂單 (PO) 規(guī)模約為每月 15,000片?！?/p>

三星電子的1c DRAM在供應下一代HBM（高帶寬存儲器）HBM4（第六代HBM）的競爭中也具有重要意義。

三星電子一直使用1a（第4代）DRAM，直至HBM3E（第5代HBM），但計劃在HBM4中使用1c DRAM。主要競爭對手 SK 海力士和美光在 HBM3E 之后在 HBM4 中保留 1b DRAM。

HBM 是多個 DRAM 垂直堆疊的存儲器。因此，核心芯片DRAM的性能對HBM的性能有重大影響。這就是為什么人們預計，如果三星電子成功地將1c DRAM應用于HBM4，它將能夠重新獲得在下一代HBM市場的領導地位。

不過，目前還很難確定三星電子是否能夠成功量產1c DRAM和HBM4。盡管三星電子正在全力開發(fā)1c DRAM，但尚未能夠實現(xiàn)穩(wěn)定的良率。

另一位人士表示，“三星電子的目標是在明年下半年量產HBM4，因此似乎正在為此進行設備投資。關鍵在于DRAM和HBM的良率能多快提高?！?/p>