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高壓、高速功率MOSFET/IGBT驅動器:HPD2606X

05/19 13:22
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為提升工業(yè)電機能源轉換效率,讓電機能擁有更快的響應速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制,華普微于近期重磅推出了一款自主研發(fā)的高壓、高速的功率MOSFETIGBT半橋驅動器——HPD2606X。

HPD2606X采用了專有HVIC和抗閂鎖CMOS技術,具有強固的電路結構。邏輯輸入端口兼容標準CMOS/LSTTL電平,最低支持3.3V邏輯信號。輸出驅動集成高脈沖電流緩沖電路,可有效抑制驅動信號交叉導通。此外,其浮動通道設計支持驅動高邊拓撲結構中的N溝道功率MOSFET或IGBT,最高工作電壓可達600V。

華普微

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20+年專注于RF射頻, 傳感器等物聯(lián)網(wǎng)核心元器件及解決方案的設計研發(fā)生產,國家高新技術企業(yè),國家專精特新小巨人,提供一體化解決方案,大幅縮短客戶開發(fā)周期,為客戶創(chuàng)造最大便利! 經(jīng)過多年耕耘,現(xiàn)已發(fā)展成為國內首家集ASIC芯片設計、MEMS傳感芯片設計、封裝測試校準技術、應用服務于一體的完整物聯(lián)網(wǎng)服務產業(yè)鏈集團公司,產品覆蓋全球33個國家,客戶2000余家,是中國物聯(lián)網(wǎng)核心元器件制造產業(yè)資深品牌。

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