為提升工業(yè)電機能源轉換效率,讓電機能擁有更快的響應速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制,華普微于近期重磅推出了一款自主研發(fā)的高壓、高速的功率MOSFET和IGBT半橋驅動器——HPD2606X。
HPD2606X采用了專有HVIC和抗閂鎖CMOS技術,具有強固的電路結構。邏輯輸入端口兼容標準CMOS/LSTTL電平,最低支持3.3V邏輯信號。輸出驅動集成高脈沖電流緩沖電路,可有效抑制驅動信號交叉導通。此外,其浮動通道設計支持驅動高邊拓撲結構中的N溝道功率MOSFET或IGBT,最高工作電壓可達600V。