• 英諾賽科/英飛凌GaN創(chuàng)新：1200V；集成二極管

  4月14日，英諾賽科（02577）發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品憑借其寬禁帶特性，在高壓高頻場景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源車、工業(yè)及AI數(shù)據(jù)中心等領域。

  行家說三代半

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  04/16 13:30

  英飛凌 英諾賽科
• 意法半導體65W GaN變換器為注重成本的應用提供節(jié)省空間的電源方案

  意法半導體的 VIPerGaN65D 反激式轉換器采用SOIC16封裝，可以用于設計體積較小的高性價比電源、適配器和 USB-PD (電力輸送) 快速充電器，最大輸出功率可達65W，輸入電壓為通用電網(wǎng)電壓。 這款準諧振離線變換器集成一個700V GaN (氮化鎵) 晶體管和優(yōu)化的柵極驅動器及典型的安全保護功能，降低了利用寬帶隙技術提高功率密度和能效的技術門檻。GaN功率晶體管的最高開關頻率為240

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  03/25 08:52

  意法半導體 晶體管

  
• Nexperia擴展GaN FET產(chǎn)品組合，現(xiàn)可支持更多低壓和高壓應用中的功率需求

  Nexperia宣布其E-mode GaN FET產(chǎn)品組合新增12款新器件。本次產(chǎn)品發(fā)布旨在滿足市場對更高效、更緊湊系統(tǒng)日益增長的需求。這些新型低壓和高壓E-mode GaN FET適用于多個市場，包括消費電子、工業(yè)、服務器/計算以及電信，尤其著重于支持高壓、中低功率以及低壓、中高功率的使用場景。自2023年推出E-mode GaN FET以來，Nexperia一直是業(yè)內少有、同時提供級聯(lián)型或D-

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  03/19 08:17

  LED驅動器 bms

  
• PD協(xié)議芯片：推動快充技術革新的核心引擎

  一、技術定義與標準化架構? PD協(xié)議芯片（Power Delivery）是一種基于USB-IF組織制定的通用充電標準的核心集成電路，通過動態(tài)調節(jié)電壓（5-20V）與電流（最高5A），實現(xiàn)最高100W的電力傳輸能力?。其標準化特性打破了品牌私有快充協(xié)議的壁壘，成為跨設備兼容性最強的解決方案。例如，XSQ10芯片支持USB Type-C接口，可兼容智能手機、筆記本電腦等各類終端設備。 ?二、核心功能與

  eefocus_3964824

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  02/24 07:04

  PD協(xié)議 GaN器件
• 深入解析 GaN 器件金剛石近結散熱技術：鍵合、生長、鈍化生長

  在追求更高功率密度和更優(yōu)性能的電子器件領域，GaN（氮化鎵）器件因其卓越的性能而備受矚目。然而，隨著功率密度的不斷提升，器件內部的熱積累問題日益嚴重，成為制約其發(fā)展的主要瓶頸。

  DT半導體

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  01/16 09:17

  散熱 金剛石

  
• 緯湃科技采用英飛凌CoolGaN?晶體管，打造功率密度領先的DC-DC轉換器

  直流-直流（DC-DC）轉換器在電動汽車和混合動力汽車中都是必不可少的，用于連接高壓電池和低壓輔助電路。這包括12 V電源的前大燈、車內燈、雨刮和車窗電機、風扇，以及48 V電源的泵、轉向驅動裝置、照明系統(tǒng)、電加熱器和空調壓縮機。此外，DC-DC轉換器對于開發(fā)更多具有低壓功能的經(jīng)濟節(jié)能車型也十分重要。TechInsights1的數(shù)據(jù)顯示，2023年全球汽車DC-DC轉換器的市場規(guī)模為40億美元，預

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  2024/08/16

  英飛凌 轉換器

  
• 名古屋大學諾獎團隊Nature：GaN新型超晶格結構，為增強GaN器件性能提供選擇！

  近日，日本名古屋大學（Nagoya University）的一項新研究發(fā)現(xiàn)，將氮化鎵（GaN）和鎂（Mg）簡單熱反應就會形成獨特的超晶格結構。這是研究人員首次發(fā)現(xiàn)可以將二維金屬層插入塊狀半導體中，這有望提高GaN半導體器件性能。同時這項新結構的發(fā)現(xiàn)，打開了半導體材料新型摻雜機制和薄膜材料新型形變機制的兩扇新窗。研究人員將這一發(fā)現(xiàn)稱為“大自然的饋贈”，它可能會開辟新的途徑并激發(fā)該領域更多的基礎研究。

  DT半導體

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  2024/07/22

  GaN GaN器件

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