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美光科技

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美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之一。通過(guò)全球化的運(yùn)營(yíng),美光公司制造并向市場(chǎng)推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊,用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。美光公司普通股代碼為MU,在紐約證券交易所交易(NYSE)。

美光科技有限公司(Micron Technology, Inc.)是高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商之一。通過(guò)全球化的運(yùn)營(yíng),美光公司制造并向市場(chǎng)推出DRAM、NAND閃存、CMOS圖像傳感器、其它半導(dǎo)體組件以及存儲(chǔ)器模塊,用于前沿計(jì)算、消費(fèi)品、網(wǎng)絡(luò)和移動(dòng)便攜產(chǎn)品。美光公司普通股代碼為MU,在紐約證券交易所交易(NYSE)。收起

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    在近日開(kāi)幕的2025 臺(tái)北國(guó)際電腦展(Computex 2025)上,美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)宣布推出兩款全新的高性能固態(tài)硬盤(pán)(SSD)——Crucial英睿達(dá)T710 PCIe 5.0 NVMe固態(tài)硬盤(pán) 和 Crucial英睿達(dá)X10移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán),以進(jìn)一步鞏固其在消費(fèi)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這兩款凝聚多年研發(fā)心血的新一代 SSD,以突破性的速度、容量和耐用性刷新了 SSD 性
  • 美光宣布 1γ DRAM 開(kāi)始出貨:引領(lǐng)內(nèi)存技術(shù)突破,滿(mǎn)足未來(lái)計(jì)算需求
    美光業(yè)界首款高性能 1γ 節(jié)點(diǎn)技術(shù),為數(shù)據(jù)中心、客戶(hù)端及移動(dòng)平臺(tái)帶來(lái)卓越的性能與能效 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,已率先向生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴及特定客戶(hù)出貨專(zhuān)為下一代 CPU 設(shè)計(jì)的 1γ(1-gamma)第六代(10 納米級(jí))DRAM 節(jié)點(diǎn) DDR5 內(nèi)存樣品。得益于美光此前在 1α(1-alpha)和 1β(1-beta)DRAM 節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),1γ DRAM 節(jié)點(diǎn)的
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  • 美光移動(dòng)解決方案助力三星 Galaxy S25 系列 AI 體驗(yàn)再創(chuàng)新高
    三星旗艦手機(jī) Galaxy S25 Ultra、S25+ 和 S25 采用美光內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案,開(kāi)創(chuàng)多模態(tài) AI 體驗(yàn) 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,三星 Galaxy S25 系列的部分設(shè)備已搭載美光業(yè)界前沿的 LPDDR5X 內(nèi)存和UFS 4.0。該系列引入多模態(tài) AI 助理,開(kāi)創(chuàng)性地為用戶(hù)帶來(lái)直觀且能夠感知語(yǔ)境的移動(dòng) AI 體驗(yàn)。此外,美光已首次向市場(chǎng)出貨能效領(lǐng)先
  • 存儲(chǔ)巨頭財(cái)報(bào)公布:西部數(shù)據(jù)減少NAND供應(yīng),三星加大高附加值產(chǎn)品布局
    隨著人工智能、大數(shù)據(jù)、云計(jì)算等新興技術(shù)的快速發(fā)展,存儲(chǔ)行業(yè)對(duì)高性能和大容量存儲(chǔ)的需求不斷增長(zhǎng)。全球五大存儲(chǔ)廠商——三星、SK海力士、美光、鎧俠和西部數(shù)據(jù)紛紛加大技術(shù)創(chuàng)新和市場(chǎng)布局力度,以滿(mǎn)足市場(chǎng)需求。近期,這些廠商發(fā)布了最新財(cái)報(bào),披露了其在優(yōu)化產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、拓展高附加值領(lǐng)域以及調(diào)整市場(chǎng)策略方面的最新進(jìn)展。
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  • Crucial 英睿達(dá)擴(kuò)大旗下內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合,為消費(fèi)者帶來(lái)嶄新性能體驗(yàn)
    新發(fā)布的 P510 PCIe 5.0 NVMe SSD 性能大幅躍升,可為用戶(hù)帶來(lái)更加流暢、更身臨其境的游戲和應(yīng)用體驗(yàn) Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達(dá)克股票代碼:MU)宣布擴(kuò)充旗下 Crucial 英睿達(dá)品牌消費(fèi)級(jí)內(nèi)存和存儲(chǔ)產(chǎn)品組合,包括推出高速 Crucial 英睿達(dá) P510 SSD 新品,并增加現(xiàn)有DRAM 產(chǎn)品的密度和外形規(guī)格選項(xiàng),為消費(fèi)者提供更
  • 砸9300億!存儲(chǔ)大廠瘋狂擴(kuò)張
    預(yù)計(jì)美國(guó)美光今年將像去年一樣積極擴(kuò)大DRAM產(chǎn)能。基于美國(guó)政府確認(rèn)的巨額補(bǔ)貼,現(xiàn)有DRAM工廠改造的投資計(jì)劃于近期具體化。據(jù)業(yè)內(nèi)5日消息,美光去年底宣布將在弗吉尼亞州馬納薩斯地區(qū)投資高達(dá)21.7億美元(約合158.857億元人民幣)。
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  • 存儲(chǔ)大廠預(yù)警NAND增長(zhǎng)不及預(yù)期,高端DRAM等被押注
    近日,存儲(chǔ)大廠美光、三星紛紛披露最新市況。美光方面披露將投資21.7億美元擴(kuò)大其DRAM內(nèi)存生產(chǎn),近期其也公布了2025財(cái)年第一季度(2024年9月至2024年11月)的業(yè)績(jī)報(bào)告,該季營(yíng)收較為亮眼,但美光對(duì)于下一季度的預(yù)測(cè),體現(xiàn)了其對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)的隱憂(yōu),美光表示NAND閃存市場(chǎng)正遭遇前所未有的挑戰(zhàn);另外三星電子方面也將調(diào)整DRAM未來(lái)研發(fā)策略。
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  • 三星SK海力士500名員工跳槽至美光
    根據(jù)LinkedIn上披露的職業(yè)信息,美光科技有315名來(lái)自三星電子和SK海力士的員工。業(yè)內(nèi)估計(jì),考慮到那些未透露職業(yè)的人,實(shí)際換工作的人數(shù)超過(guò)500人。
  • 美國(guó)半導(dǎo)體巨頭在中國(guó):800億美元營(yíng)收背后的風(fēng)險(xiǎn)警示
    題記:四大行業(yè)協(xié)會(huì)建議審慎采購(gòu)美國(guó)芯片,對(duì)美國(guó)10大半導(dǎo)體公司影響有多大?日前,由于美國(guó)以國(guó)家安全為借口進(jìn)一步加大對(duì)華半導(dǎo)體出口限制,中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)協(xié)會(huì)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)汽車(chē)行業(yè)協(xié)會(huì)、中國(guó)通信企業(yè)協(xié)會(huì)陸續(xù)發(fā)布聲明,在對(duì)美濫用出口管制措施表示反對(duì)的同時(shí),也建議國(guó)內(nèi)企業(yè)審慎選擇采購(gòu)美國(guó)芯片。
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    2024/12/20
    美國(guó)半導(dǎo)體巨頭在中國(guó):800億美元營(yíng)收背后的風(fēng)險(xiǎn)警示
  • 從鏈博會(huì)看美光科技:推動(dòng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈綠色轉(zhuǎn)型
    近日,第二屆中國(guó)國(guó)際供應(yīng)鏈促進(jìn)博覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“鏈博會(huì)”)在北京落下帷幕,作為全球首個(gè)以供應(yīng)鏈為主題的國(guó)家級(jí)展會(huì),本屆大會(huì)設(shè)置了先進(jìn)制造鏈、清潔能源鏈、智能汽車(chē)鏈、數(shù)字科技鏈、健康生活鏈、綠色農(nóng)業(yè)鏈等六大鏈條和一個(gè)供應(yīng)鏈服務(wù)展區(qū)。記者觀察到,“綠色化”作為本屆大會(huì)的核心理念之一,貫穿了各大展區(qū)的各個(gè)角落。
    從鏈博會(huì)看美光科技:推動(dòng)半導(dǎo)體供應(yīng)鏈綠色轉(zhuǎn)型
  • 美光HBM明年目標(biāo):倍增!
    隨著美國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司美光成功開(kāi)發(fā)出第5代高帶寬存儲(chǔ)器“HBM3E 12層”產(chǎn)品,存儲(chǔ)器企業(yè)之間的領(lǐng)導(dǎo)地位之爭(zhēng)預(yù)計(jì)將變得更加激烈。
    美光HBM明年目標(biāo):倍增!
  • AI激發(fā)存儲(chǔ)革命,美光SSD和NAND產(chǎn)品線(xiàn)全面升級(jí)
    搭載了第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品2650 NVMe SSD,在 PCMark? 10 測(cè)試中表現(xiàn)優(yōu)異,在日常計(jì)算方面帶來(lái)一流的用戶(hù)體驗(yàn),與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手相比,性能提高了38%。在帶寬方面,我們提高了36%。平均訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間比其他產(chǎn)品低40%。
    2033
    2024/08/05
    AI激發(fā)存儲(chǔ)革命,美光SSD和NAND產(chǎn)品線(xiàn)全面升級(jí)
  • 美光宣布量產(chǎn)第九代 NAND 閃存技術(shù)產(chǎn)品
    美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)今日宣布,其采用第九代(G9)TLC NAND技術(shù)的 SSD 產(chǎn)品已開(kāi)始出貨,成為業(yè)界首家實(shí)現(xiàn)這一里程碑的廠商之一。美光 G9 NAND 技術(shù)具備高達(dá) 3.6 GB/s 的數(shù)據(jù)傳輸速率,提供卓越的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)帶寬。該項(xiàng) NAND 新技術(shù)為人工智能(AI)及其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用場(chǎng)景帶來(lái)出色的性能,適用于個(gè)人設(shè)備、邊緣服務(wù)器、企業(yè)和云數(shù)據(jù)中心。[ 競(jìng)品為 For
  • 美光推出全新數(shù)據(jù)中心 SSD,性能業(yè)界領(lǐng)先
    美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,推出數(shù)據(jù)中心 SSD 產(chǎn)品美光 9550 NVMe? SSD,性能業(yè)界領(lǐng)先,同時(shí)具備卓越的 AI 工作負(fù)載性能及能效。[ 競(jìng)品為 Forward Insights 在其《第一季度 SSD 供應(yīng)商情況報(bào)告》中提及的,截至 2024 年 5 月,在企業(yè)級(jí) SSD 市場(chǎng)中占據(jù)至少 10% 市場(chǎng)營(yíng)收份額的供應(yīng)商所生產(chǎn)的 PCIe? Gen5 數(shù)據(jù)中心
  • 美光 MRDIMM 創(chuàng)新技術(shù)打造最高性能、低延遲主存,為數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載加速
    突破性的美光 MRDIMM 具備高達(dá) 256GB 容量和 40% 更低延遲,賦能 AI 及 HPC 等內(nèi)存密集型應(yīng)用 美光科技股份有限公司(納斯達(dá)克股票代碼:MU)近日宣布,已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊(MRDIMM)。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶(hù)應(yīng)對(duì)日益繁重的工作負(fù)載,從而最大化計(jì)算基礎(chǔ)設(shè)施的價(jià)值。對(duì)于需要每個(gè) DIMM 插槽內(nèi)存超過(guò) 128GB 的應(yīng)用,美光 MRDIMM 提供最高帶
  • 三星、美光兩家存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)!
    近期,行業(yè)消息顯示,為了應(yīng)對(duì)人工智能(AI)熱潮帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求提升,三星電子及美光均擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能。三星方面,決定最快將于2024年第三季重啟建設(shè)新平澤工廠(P5)基礎(chǔ)建設(shè)。美光則正在美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西的總部建設(shè)HBM測(cè)試產(chǎn)線(xiàn)與量產(chǎn)線(xiàn),并首次考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM,以滿(mǎn)足人工智能熱潮帶來(lái)的更多需求。
    三星、美光兩家存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)!
  • 英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問(wèn)題
    近日,英偉達(dá)(NVIDIA)執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛在2024年中國(guó)臺(tái)北國(guó)際電腦展上對(duì)三星HBM因過(guò)熱問(wèn)題而未能通過(guò)測(cè)試的報(bào)道進(jìn)行了反駁。
    英偉達(dá)黃仁勛反駁三星HBM3e有問(wèn)題

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