• 激光退火后 晶圓 TTV 變化管控

  摘要：本文針對(duì)激光退火后晶圓總厚度偏差（TTV）變化的問題，深入探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)、晶圓預(yù)處理以及檢測(cè)反饋機(jī)制等方面，提出一系列有效管控 TTV 變化的方法，為提升激光退火后晶圓質(zhì)量提供技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：激光退火；晶圓；TTV 變化；管控方法 一、引言 激光退火作為半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵工藝，在改善晶圓電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用。然而，激光退火過程中產(chǎn)生的高熱量及不均勻的能量分布，易導(dǎo)致晶

  新啟航半導(dǎo)體有限公司

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  05/23 11:09

  扇出型晶圓級(jí)封裝 電子溫度控制器
• 扇出型面板級(jí)封裝（FOPLP）崛起之路，還要克服哪些挑戰(zhàn)？

  隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品對(duì)可攜式及多功能要求的日益嚴(yán)格，整合更多功能、提升產(chǎn)品效能、終薄型化以及降低制造商整體成本逐漸成為終端產(chǎn)品及行業(yè)廠商智能化的發(fā)展方向。然而，隨著摩爾定律極限的逼近，半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)已經(jīng)面臨無(wú)法在微縮芯片的尺寸來提升電子產(chǎn)品效能的窘境。

  李晨光

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  2019/04/26

  封裝設(shè)備 FOPLP

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