• 英飛凌碳化硅產(chǎn)品創(chuàng)新的四大支柱綜述(二)

  SiC技術(shù)創(chuàng)新到豐富產(chǎn)品的四個支柱簡單講，就是技術(shù)，質(zhì)量，產(chǎn)量和產(chǎn)品。垂直結(jié)構(gòu)的功率MOSFET（如CoolSiC?器件）通過體二極管提供反向?qū)窂剑梢杂米髯兞髌髦械睦m(xù)流二極管。由于SiC的寬帶隙，該二極管的轉(zhuǎn)折電壓VT約為3V，相對較高。這意味著完全依賴其續(xù)流，連續(xù)工作將導(dǎo)致高導(dǎo)通損耗。

  英飛凌

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  05/20 15:14

  碳化硅 分立器件

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