AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT18P350-4S2LR6 RF功率LDMOS晶體管-數(shù)據(jù)手冊

RF功率LDMOS 晶體管 N通道增強(qiáng)模式側(cè)向MOSFET 此63瓦對稱多爾蒂射頻功率LDMOS晶體管設(shè)計(jì)用于覆蓋1805至1880 MHz頻段的蜂窩基站應(yīng)用。

典型的多爾蒂單載波W-CDMA性能：VDD = 28伏特，IDQA = 1000毫安培，VGSB = 1.2伏直流，Pout = 63瓦平均值，輸入信號PAR = 9.9分貝@ 0.01%概率的CCDF。

特點(diǎn)：

在對稱多爾蒂配置下進(jìn)行生產(chǎn)測試
更大的負(fù)門源電壓范圍，以改善C類操作
設(shè)計(jì)用于數(shù)字預(yù)畸變誤差校正系統(tǒng)
帶卷和卷筒。R6后綴= 150個(gè)單位，56毫米帶寬，13英寸卷筒

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030-2259-000	1	ITT Interconnect Solutions	Connector Accessory, Contact,	$1.72	查看

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起