射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計(jì)用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計(jì)允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。
特點(diǎn)
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MRFE6VP61K25N,MRFE6VP61K25GN 寬帶射頻功率LDMOS晶體管數(shù)據(jù)手冊
射頻功率LDMOS晶體管 高韌性N溝道增強(qiáng)型橫向MOSFET?這些高韌性器件設(shè)計(jì)用于高駐波比的工業(yè)、醫(yī)療、廣播、航空航天和移動無線電應(yīng)用。其無與倫比的輸入和輸出設(shè)計(jì)允許從1.8到600 MHz的廣泛頻率范圍使用。
特點(diǎn)
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風(fēng)險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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M39029/63-368 | 1 | Amphenol Positronic | Connector Accessory, Contact, Lead Nickel Copper, |
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$1.98 | 查看 | |
BAT54S-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$0.2 | 查看 | |
CRCW040220K0FKEDC | 1 | Vishay Intertechnologies | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 20000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP |
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$0.08 | 查看 |
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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