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  • 離子注入中,BF2和B注入有什么差異?
    在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,離子注入作為一項關(guān)鍵技術(shù),通過將特定離子加速并引入目標材料,精準地改變材料的物理、化學(xué)或電學(xué)特性。其中,硼(B)及其化合物離子注入在調(diào)節(jié)半導(dǎo)體電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用,BF?和 B 注入在實際應(yīng)用中展現(xiàn)出諸多差異。
  • DSP芯片詳解
    將DSP比作“數(shù)學(xué)特長生”:普通CPU(如MCU)擅長多任務(wù)調(diào)度(“文科生”),而DSP專攻復(fù)雜公式快速求解(“理科生”),通過硬件加速(如MAC單元)實現(xiàn)“心算能力”,適合實時信號處理的“高強度數(shù)學(xué)競賽”。
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    05/18 10:55
    DSP芯片詳解
  • 寒武紀AI芯片技術(shù)分析報告
    在人工智能飛速發(fā)展的時代,AI芯片作為核心驅(qū)動力,其技術(shù)進展和應(yīng)用實踐備受關(guān)注。寒武紀作為人工智能芯片領(lǐng)域的佼佼者,憑借一系列創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品,在市場中占據(jù)重要地位。本報告將深入剖析寒武紀歷代芯片和技術(shù),著重探討其技術(shù)亮點、技術(shù)線路圖、核心技術(shù),以及最新產(chǎn)品的應(yīng)用與實踐。
    寒武紀AI芯片技術(shù)分析報告
  • 一文看懂CPU cache的基本原理
    CPU cache主要是為了解決CPU與內(nèi)存之間的速度不匹配問題。CPU cache一般分為多級,例如L1、L2、L3 cache等。越靠近CPU的cache,速度越快,成本越高,容量越小。L1 cache一般包括指令cache (I-Cache)和數(shù)據(jù)cache(D-Cache),它們的原理基本一樣,但是D-Cache需要讀取和寫入,而I-Cache只會被讀取,不會被寫入,因此D-Cache更復(fù)雜一些。
    一文看懂CPU cache的基本原理
  • ARM AArch64異常模型介紹
    現(xiàn)代軟件開發(fā)成不同的模塊,每個模塊對系統(tǒng)和處理器資源有不同級別的訪問。操作系統(tǒng)(OS)內(nèi)核和應(yīng)用程序就是一個例子。OS需要執(zhí)行不期望應(yīng)用程序能夠執(zhí)行的操作。內(nèi)核需要對系統(tǒng)資源的高級訪問,而應(yīng)用程序需要有限的配置系統(tǒng)的能力。特權(quán)(privilege)規(guī)定了軟件實體可以看到和控制哪些處理器資源。
    ARM AArch64異常模型介紹
  • 英偉達GPU芯片銅纜互聯(lián)技術(shù)分析
    英偉達在GB200系列中創(chuàng)新采用銅纜線背板技術(shù),通過NVLink Switch實現(xiàn)GPU與交換芯片的直連。每個GB200超級芯片由兩顆Blackwell GPU和一顆Grace CPU構(gòu)成,通過NVLink C2C協(xié)議(單向帶寬450GB/s)連接,單個NVL72機柜可容納72顆GPU,形成“超級GPU”架構(gòu)
    英偉達GPU芯片銅纜互聯(lián)技術(shù)分析
  • 芯片百大榜——峰岹科技,“硬”啃人形機器人?
    在上一篇文章《國內(nèi)外人形機器人用MCU對比分析》中,我們對國內(nèi)外人形機器人用MCU廠家進行了對比分析。今日,我們再來聊聊一家以自主研發(fā)為核心的(BLDC)電機驅(qū)動芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技與大多數(shù)競爭對手采用的ARM 內(nèi)核架構(gòu)不同,公司從底層架構(gòu)上將芯片設(shè)計、電機驅(qū)動架構(gòu)、電機技術(shù)三者有效融合,用算法硬件化的技術(shù)路徑在芯片架構(gòu)層面實現(xiàn)復(fù)雜的電機驅(qū)動控制算法,形成自主知識產(chǎn)權(quán)的電機驅(qū)動控制處理
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    04/29 10:51
    芯片百大榜——峰岹科技,“硬”啃人形機器人?
  • 如何為處理器、微控制器和高功率器件選擇電源拓撲
    作者:Jan Michael Gonzales,產(chǎn)品應(yīng)用資深工程師 Ralph Clarenz Matocinos,產(chǎn)品應(yīng)用助理工程師 Christian Cruz,產(chǎn)品應(yīng)用資深工程師 摘要 本文是一份詳盡的指南,旨在說明如何為處理器、微控制器和高功率信號鏈選擇合適的電源拓撲。本文強調(diào)了高效可靠的功率轉(zhuǎn)換在信號鏈中的重要作用,并著重說明了此類結(jié)構(gòu)緊湊但功能強大的電源器件在不同電子應(yīng)用中的重要性。無
    如何為處理器、微控制器和高功率器件選擇電源拓撲
  • 竟有可以從AP直接加載程序啟動的MCU!
    今天痞子衡給大家介紹的是主從系統(tǒng)中i.MXRT系列MCU從主處理器接收App數(shù)據(jù)包超時機制。
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    04/27 09:10
    竟有可以從AP直接加載程序啟動的MCU!
  • MCU主流開發(fā)語言有哪些?
    單片機有很多叫法,MCU(Microcontroller Unit,微控制單元),又叫微控制器等。隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及,單片機現(xiàn)在的需求越來越大了。同時,隨著單片機性能和資源的增強,開發(fā)單片機的語言也越來越多了。那么,你知道單片機目前支持哪些主流開發(fā)語言嗎?
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    04/25 11:33
    MCU主流開發(fā)語言有哪些?
  • 基于 ARM 架構(gòu)的 Cortex-M 系列處理器怎么選型
    在挑選 Cortex-M 系列時,我們要從下面四個維度來考慮:性能需求:算力強不強、支不支持浮點和 DSP?功耗目標:要不要特別省電,是否電池供電?
    基于 ARM 架構(gòu)的 Cortex-M 系列處理器怎么選型
  • 汽車顯示屏——第2部分:TFT LCD、OLED和micro-LED顯示屏電源技術(shù)
    作者:白玉杰,高級應(yīng)用工程師 摘要 在汽車顯示系統(tǒng)領(lǐng)域,TFT LCD顯示屏目前是車載顯示面板的主流選擇。與此同時,OLED和micro-LED顯示屏也逐漸吸引了市場的廣泛關(guān)注。為了適應(yīng)不同的顯示技術(shù),我們需要開發(fā)相應(yīng)的電源技術(shù)。TFT LCD顯示屏通常使用側(cè)光式背光和直下式背光。為了提高顯示性能,業(yè)界開發(fā)了基于mini-LED的直下式背光的局部調(diào)光技術(shù)。OLED顯示屏在智能手機中更為常見,而面向
    汽車顯示屏——第2部分:TFT LCD、OLED和micro-LED顯示屏電源技術(shù)
  • 國內(nèi)外人形機器人用MCU對比分析
    人形機器人中常用的空心杯電機、無框力矩電機和伺服電機是實現(xiàn)高精度動作的關(guān)鍵,這些電機通常由微控制器單元(MCU)芯片控制。研究表明,一臺人形機器人通常需要30-40個MCU芯片來精確控制其關(guān)節(jié)、傳感器和執(zhí)行器。 這些MCU分布在機器人各部分,每個電機或一組電機可能有專用MCU進行本地控制,而中央處理器負責(zé)協(xié)調(diào)整體行為。MCU芯片的選擇基于其實時控制能力、I/O接口數(shù)量和時鐘速度,特別適合處理電機控
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    04/22 14:00
    國內(nèi)外人形機器人用MCU對比分析
  • 如何減少車燈控制器MCU的數(shù)量來優(yōu)化成本
    作者:英飛凌汽車業(yè)務(wù)首席現(xiàn)場應(yīng)用工程師 蘇星 英飛凌汽車電子事業(yè)部產(chǎn)品應(yīng)用工程師 Fragiacomo Fabio 在現(xiàn)代汽車中,眾多電子控制單元(ECU)負責(zé)控制各種功能,如發(fā)動機管理、傳動控制、制動系統(tǒng)和信息娛樂系統(tǒng)。每個ECU通常都配備有自己的MCU,這增加了汽車電氣架構(gòu)的總體復(fù)雜性和成本。車燈的情況也是如此,前后左右的車燈通常都有各自獨立的ECU。尤其在一些車燈包含成百上千個像素,或者燈是
    如何減少車燈控制器MCU的數(shù)量來優(yōu)化成本
  • 一文講透ADC/DAC中的SNR和NSD有什么區(qū)別
    在實際系統(tǒng)中,信號通常會受到噪聲的干擾,從而產(chǎn)生帶噪聲的信號。簡單來說,信噪比(SNR)就是在給定信號帶寬內(nèi),信號功率與噪聲功率的比值。通常情況下,這是通過執(zhí)行快速傅里葉變換(簡稱FFT),并在頻域中查看基波信號功率和噪聲譜密度來計算的。噪聲功率通常是在給定頻率帶寬內(nèi)所有噪聲的積分,不包括基波信號及其諧波。然后,信噪比就只是信號功率與積分后的噪聲譜密度之間的差值。
    一文講透ADC/DAC中的SNR和NSD有什么區(qū)別
  • DRAM技術(shù)簡單科普
    以下是關(guān)于?DRAM(Dynamic Random Access Memory)技術(shù)原理的詳細解析,涵蓋生產(chǎn)制造、Rank 與 Bank 內(nèi)部結(jié)構(gòu)、ODT 作用及讀寫方式和LPDRAM、DDR產(chǎn)品迭代。
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    04/15 16:55
    DRAM技術(shù)簡單科普
  • 從0到1設(shè)計BUCK(7):BUCK降壓電路輸出電容選型方法1
    圖 0.1所示,是(TPS54561DPRT)非同步BUCK轉(zhuǎn)換器拓撲,已經(jīng)內(nèi)置了高邊開關(guān)管,關(guān)鍵的外圍元件包括功率電感、續(xù)流二極管、輸出電容和輸入電容。[?從0到1設(shè)計BUCK(5) | 電流紋波系數(shù)選擇,功率電感計算優(yōu)化指南?]完成了功率電感選型,[?從0到1設(shè)計BUCK(6) | 非同步BUCK降壓電路續(xù)流二極管選型準則?]完成了續(xù)流二極管選型。
    從0到1設(shè)計BUCK(7):BUCK降壓電路輸出電容選型方法1

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