5月21日，據(jù)美國(guó)主流媒體《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，全球最大的SiC襯底制造商之一碳化硅功率器件巨頭Wolfspeed正準(zhǔn)備在未來(lái)數(shù)周內(nèi)申請(qǐng)破產(chǎn)！消息出來(lái)以后，該公司股價(jià)在盤(pán)后交易中下跌逾57%，Wolfspeed 的市值從百億美元縮水至個(gè)位數(shù)。

據(jù)路透社的消息，Wolfspeed 一直在努力應(yīng)對(duì)工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)需求低迷以及關(guān)稅引發(fā)的不確定性。報(bào)道稱，在拒絕了債權(quán)人提出的幾項(xiàng)庭外債務(wù)重組提議后，該公司正尋求申請(qǐng)第 11 章破產(chǎn)保護(hù)，這將獲得大多數(shù)債權(quán)人的支持。

當(dāng)路透社聯(lián)系Wolfspeed 時(shí)，他們拒絕發(fā)表評(píng)論。

該公司使用碳化硅制造芯片，本月早些時(shí)候提出了持續(xù)經(jīng)營(yíng)的疑慮，并預(yù)測(cè)年收入將低于預(yù)期。該公司預(yù)計(jì) 2026 年?duì)I收為 8.5 億美元，低于分析師預(yù)期的 9.587 億美元。

去年11月面疲軟的電動(dòng)汽車(chē)需求和緩慢的工業(yè)市場(chǎng)，Wolfspeed宣布裁員20%，并關(guān)閉多個(gè)站點(diǎn)。到了2025年初，Wolfspeed關(guān)閉了幾家工廠，并將一些業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移到200mm碳化硅晶圓廠，以提高效率并擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。

據(jù)悉，破產(chǎn)主要原因是Wolfspeed目前面臨巨大的債務(wù)壓力，其總債務(wù)高達(dá)65億美元（約合人民幣470億元）。公司未能就債券重組達(dá)成協(xié)議，導(dǎo)致其財(cái)務(wù)狀況進(jìn)一步惡化。

盡管Wolfspeed深陷債務(wù)危機(jī)，碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革命卻未停步。作為第三代半導(dǎo)體核心材料，SiC器件在新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域的滲透率持續(xù)攀升，據(jù)Yole預(yù)測(cè)全球市場(chǎng)規(guī)模將在2027年突破60億美元。近期行業(yè)動(dòng)態(tài)更凸顯出冰火兩重天的格局。

安森美

安森美公布 2025 年第一季度業(yè)績(jī)。財(cái)報(bào)顯示，安森美第一季度收入為 14.457億美元（約合人民幣104億），GAAP毛利率為 20.3%，自由現(xiàn)金流為4.55億美元（約合人民幣33億），同比增長(zhǎng)72%，占收入的31%。安森美在碳化硅領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力，其總裁Hassane El-Khoury透露，盡管一季度汽車(chē)行業(yè)處于庫(kù)存調(diào)整期，公司仍通過(guò)與一家美國(guó)頭部車(chē)企合作斬獲750V插混車(chē)型碳化硅器件訂單，并憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)在中國(guó)800V高壓電動(dòng)車(chē)市場(chǎng)加速滲透——中國(guó)最新發(fā)布的電動(dòng)車(chē)型中近半數(shù)將搭載其碳化硅器件，預(yù)計(jì)2025年末迎來(lái)量產(chǎn)高峰。隨著第四代溝槽架構(gòu)EliteSiC MOSFET技術(shù)突破及PHEV市場(chǎng)長(zhǎng)期增長(zhǎng)預(yù)期，安森美正通過(guò)產(chǎn)品迭代與產(chǎn)能布局鞏固碳化硅領(lǐng)域領(lǐng)先地位。

英飛凌

5月8日，英飛凌公布了2025財(cái)年第二季度的財(cái)報(bào)（截至2025年3月31日）。該季度營(yíng)收為35.91億歐元（約合人民幣290億），利潤(rùn)為6.01億歐元（約合人民幣48.4億），利潤(rùn)率為16.7%。英飛凌在財(cái)報(bào)電話會(huì)議中透露，碳化硅（SiC）市場(chǎng)價(jià)格正因襯底成本下降及8英寸晶圓遠(yuǎn)期定價(jià)策略呈現(xiàn)動(dòng)態(tài)波動(dòng)，但公司憑借技術(shù)優(yōu)勢(shì)保持競(jìng)爭(zhēng)力——其碳化硅MOSFET在面積效率與性能系數(shù)上領(lǐng)先競(jìng)品一至兩代，并推出全球首款結(jié)合溝槽與超結(jié)技術(shù)的SiC產(chǎn)品，強(qiáng)化高壓場(chǎng)景應(yīng)用潛力。盡管市場(chǎng)波動(dòng)或?qū)е?025財(cái)年碳化硅業(yè)務(wù)收入增速放緩，英飛凌仍通過(guò)結(jié)構(gòu)性創(chuàng)新鞏固行業(yè)話語(yǔ)權(quán)。

近期，英飛凌相繼與偉世通、Rivian達(dá)成SiC合作，將在車(chē)規(guī)級(jí)應(yīng)用上搭載SiC技術(shù)。

天岳先進(jìn)

4月29日，天岳先進(jìn)發(fā)布2025年一季度報(bào)告，實(shí)現(xiàn)季度營(yíng)收4.1億元，凈利潤(rùn)為852萬(wàn)元，研發(fā)投入合計(jì)為4494萬(wàn)元，同比增加5.79%。

天岳先進(jìn)在2024年度暨2025年第一季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上透露，2025年碳化硅市場(chǎng)需求將呈現(xiàn)“多點(diǎn)共振”的強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)，主要體現(xiàn)在新能源汽車(chē)中碳化硅的滲透率和器件用量持續(xù)提升，光伏儲(chǔ)能與電力電網(wǎng)領(lǐng)域成為新的增長(zhǎng)點(diǎn)，以及AI數(shù)據(jù)中心與AR眼鏡領(lǐng)域的巨大潛力。

此外，天岳先進(jìn)認(rèn)為碳化硅產(chǎn)業(yè)不會(huì)重蹈光伏“內(nèi)卷”的覆轍，因?yàn)槠湟r底制備需要極端高溫、高壓設(shè)備和精密工藝，全球范圍內(nèi)能穩(wěn)定量產(chǎn)8英寸襯底的企業(yè)寥寥無(wú)幾。天岳先進(jìn)已具備大尺寸襯底量產(chǎn)能力，其8英寸襯底已實(shí)現(xiàn)規(guī)模出貨，12英寸產(chǎn)品也已發(fā)布并銷(xiāo)售，這將強(qiáng)化其技術(shù)壁壘并加深與下游技術(shù)的綁定。

山東力冠微電子

山東力冠微電子裝備有限公司繼8英寸液相法SiC長(zhǎng)晶爐量產(chǎn)后，正加速攻關(guān)12英寸液相法SiC長(zhǎng)晶設(shè)備，推出12英寸液相法SiC長(zhǎng)晶爐。

設(shè)備支持12英寸SiC單晶生長(zhǎng)，通過(guò)多溫區(qū)協(xié)同控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)界面溫度梯度高精度控制，破解晶型混雜和晶體開(kāi)裂難題。采用特殊坩堝設(shè)計(jì)與惰性氣體保護(hù)系統(tǒng)，避免雜質(zhì)污染，降低雜質(zhì)殘留。其自主研發(fā)的全閉環(huán)控制生長(zhǎng)系統(tǒng)，可實(shí)時(shí)監(jiān)控生長(zhǎng)速率與重量等相關(guān)問(wèn)題。

晶盛機(jī)電

5月13日，晶盛機(jī)電在官微宣布，他們的子公司浙江晶瑞電子材料有限公司實(shí)現(xiàn)12英寸導(dǎo)電型碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)技術(shù)突破，首顆12英寸SiC晶體成功出爐——晶體直徑達(dá)到309mm，質(zhì)量完好。

浙江晶瑞基于自主研發(fā)的SiC單晶生長(zhǎng)爐以及持續(xù)迭代升級(jí)的8-12英寸長(zhǎng)晶工藝，經(jīng)過(guò)多年的技術(shù)攻關(guān)，創(chuàng)新晶體生長(zhǎng)溫場(chǎng)設(shè)計(jì)及氣相原料分布工藝，成功攻克12英寸SiC晶體生長(zhǎng)中的溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂等核心難題，實(shí)現(xiàn)了12英寸超大尺寸晶體生長(zhǎng)的重要突破。

南砂晶圓

南砂晶圓展示了12英寸導(dǎo)電型SiC襯底等重點(diǎn)產(chǎn)品。

公司總部設(shè)在廣州市南沙區(qū)，現(xiàn)有廣州、中山、濟(jì)南三大生產(chǎn)基地，形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、碳化硅單晶生長(zhǎng)和村底制備等完整的生產(chǎn)線，公司產(chǎn)品以6、8英寸導(dǎo)電型和半絕緣型碳化硅襯底為主，可視市場(chǎng)需求不斷豐富產(chǎn)品線。

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)深化碳化硅功率器件合作

4月2日，魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)與山東大學(xué)新一代半導(dǎo)體材料研究院雙方達(dá)成深化合作協(xié)議

雙方重點(diǎn)交流了超高壓5000V SiC肖特基二極管及大功率MOSFET器件的技術(shù)進(jìn)展。魯晶半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)分享了其在器件研發(fā)與制造中的階段性成果，山東大學(xué)專(zhuān)家則從學(xué)術(shù)角度剖析了高頻、高效、高溫性能優(yōu)化方案。雙方一致認(rèn)為，SiC功率器件憑借其耐高壓、低損耗特性，將成為未來(lái)電力電子領(lǐng)域的核心技術(shù)方向，而魯晶半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)與山東大學(xué)的科研實(shí)力為合作提供了強(qiáng)有力支撐。

綜上，產(chǎn)業(yè)與個(gè)別企業(yè)生存危機(jī)并存的現(xiàn)狀，恰恰印證了SiC賽道已進(jìn)入深度洗牌期。當(dāng)技術(shù)迭代速度超越資本耐受度，Wolfspeed的困境或許正是行業(yè)向理性發(fā)展轉(zhuǎn)型的必經(jīng)陣痛。