在半導體產(chǎn)業(yè)賽道上，12 英寸碳化硅正嶄露頭角。據(jù)《第三代半導體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》透露，今年以來共有13家碳化硅企業(yè)公布了12英寸技術(shù)進展，并顯露出不少行業(yè)新趨勢：

來源：行家說Research-《第三代半導體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》

設(shè)備端：7家SiC企業(yè)公布12英寸技術(shù)，聚焦激光切割、電阻法等；襯底端：6家SiC企業(yè)展示12英寸SiC晶錠和襯底，全部集中在中國；終端應用：AR眼鏡、激光器等行業(yè)發(fā)展加速，將為大尺寸SiC襯底應用增添新賽道。

7家SiC企業(yè)公布進展：

攻克12英寸長晶及加工難題

據(jù)“行家說三代半”此前報道，今年以來，大族半導體、西湖儀器、天成半導體、晶馳機電及天晶智能相繼公布了12英寸SiC技術(shù)進展，聚焦激光剝離、晶體生長等工藝，致力于破解大尺寸碳化硅產(chǎn)業(yè)難題，將為行業(yè)降本增效開辟新路徑。

而在近期，又有2家碳化硅企業(yè)透露了12英寸技術(shù)，并能有效解決當前的效率和成本痛點：

連城數(shù)控

4月28日，連城數(shù)控在官微宣布，連科半導體有限公司等單位完成的兩項科技成果參與了科技成果評價會，由中科院技物所褚君浩院士等5位專家進行評審。

專家組一致認為，連科半導體的“8 吋 / 12 吋碳化硅電阻爐及工藝成套技術(shù)” 項目整體技術(shù)達到國際領(lǐng)先水平。據(jù)悉，該項目聯(lián)合了浙江大學等單位，在行業(yè)首次推出直流雙電源加熱器、雙溫區(qū)熱場結(jié)構(gòu)，加熱功率下降35%，降低到28Kw。

此外，連科半導體開發(fā)了高精度控制軟件，實現(xiàn)了對氣體流量、壓力的精確控制，滿足了8吋/12吋SiC單晶的穩(wěn)定生長，技術(shù)難度大、復雜程度高。在多家碳化硅襯底企業(yè)推廣應用后，經(jīng)濟、社會效益顯著，助力客戶生長8吋/12吋碳化硅晶體，厚度達到5cm以上。

中國電科裝備

4月9日，中國電科官微透露，他們緊盯大尺寸發(fā)展趨勢，培育了晶錠減薄設(shè)備、激光剝離設(shè)備、晶片減薄設(shè)備、化學機械拋光設(shè)備等明星產(chǎn)品，形成8至12英寸碳化硅材料加工智能解決方案。

電科專家表示，“中國電科裝備是國內(nèi)首個同時具備四種設(shè)備且提供智能集成服務(wù)的供應商。在加工效率方面，該解決方案可將單片加工時間由90分鐘縮短到25分鐘左右；在成本控制方面，將單片損失從220微米減少到80微米，每個晶錠可切割晶片的數(shù)量約為現(xiàn)有工藝的1.4倍，有效解決當前的效率和成本痛點。”

在該解決方案中，電科裝備采用最新激光剝離工藝進行晶體切片，平均每片切割研磨損耗僅為原來的40%左右，顯著降低加工成本。?目前該解決方案已獲得市場積極反饋，進入用戶產(chǎn)線開展試驗驗證，并與多家頭部企業(yè)達成意向合作。

與之相對應的是，國內(nèi)天岳先進、爍科晶體、天科合達等襯底端企業(yè)也在加速12英寸SiC產(chǎn)品布局，進一步推動產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級和成本優(yōu)化。

將助力AR眼鏡等市場發(fā)展

據(jù)“行家說三代半”不完全統(tǒng)計，今年以來，一共有6家碳化硅企業(yè)對外展示了12英寸SiC晶錠和襯底，且全部都集中在中國：

N型導電型襯底方面，天岳先進、爍科晶體、天科合達、同光股份/晶馳光電都有相關(guān)12英寸SiC襯底或晶錠展示；

半絕緣/光學級襯底方面，目前天岳先進和爍科晶體都實現(xiàn)了12英寸突破，2025年H2天科合達也將推出12寸產(chǎn)品，瞄準的是AR眼鏡光波導鏡片等基板市場；

天科合達推出12英寸的熱沉級SiC襯底，瞄準先進封裝和散熱基板市場；

晶盛機電-浙江晶瑞推出12英寸多晶SiC襯底，主要面向晶圓鍵合與半導體設(shè)備耐耗件市場。

綜合來看，現(xiàn)階段中國碳化硅企業(yè)展示了5個類型的12英寸SiC晶錠和襯底，包括導電型襯底（N型和P型）、半絕緣/光學級襯底、熱沉級襯底、多晶型襯底。

行家說Research認為，12英寸導電型及非導電型SiC襯底技術(shù)的發(fā)展，還需注意以下關(guān)鍵點：

導電型：N型和P型12英寸導電型襯底在功率半導體的應用還需要時間，目前主力重點仍然是6英寸轉(zhuǎn)8英寸。此外，現(xiàn)階段，80%的12英寸晶圓主要被應用于生產(chǎn)附加值更高的邏輯芯片、存儲芯片，盡管IGBT等功率器件也在轉(zhuǎn)向12英寸，但其占比僅10%左右，因此導入SiC的時間會更晚。

非導電型：半絕緣、熱沉級、多晶型的12英寸SiC晶圓預計會在未來2-3年落地應用，導入到AR眼鏡、散熱片、先進封裝和鍵合襯底等領(lǐng)域，為SiC行業(yè)新增了多個新賽道。

據(jù)《第三代半導體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》透露，若在未來若碳化硅的光波導鏡片將有望達到百萬片級（折合8英寸）、可用于TF-SAW濾波器和激光器散熱片基板的SiC襯底也有數(shù)萬片的潛在規(guī)模（12英寸）。但這些都需要對應的市場能夠起量，且SiC襯底展現(xiàn)出高性價替代能力。

值得關(guān)注的是，由行家說Research調(diào)研撰寫的《第三代半導體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》不僅整理、分析了12英寸SiC技術(shù)突破，還同步剖析了半絕緣SiC與液相法實現(xiàn)大尺寸化、AR眼鏡的碳化硅光波導需求等技術(shù)及終端應用最新進展，有利于為相關(guān)企業(yè)提供具體且深入的行業(yè)洞察，助力其把握技術(shù)前沿，提前布局戰(zhàn)略方向。

目前，《第三代半導體產(chǎn)業(yè)2025Q1季度內(nèi)參》已正式發(fā)布，以下為報告目錄，歡迎各位業(yè)內(nèi)人士掃碼訂閱：

本文發(fā)自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業(yè)觀察。