▲銀燒結互連示意圖

▲釬焊與銀燒結工藝對比

· 高效散熱：優(yōu)化單面散熱設計，熱阻降低至0.1℃/W（傳統(tǒng)焊料>0.3℃/W）。

· 抗疲勞性：彈性模量低，抵御熱循環(huán)應力，壽命比傳統(tǒng)焊料延長5倍以上。

· 銀膏固化：梯度預熱工藝去除溶劑，抑制氣泡生成，提升結構致密性。

· 芯片貼裝：±10μm精度滿足高密度封裝需求，適配高頻、高壓場景。

· 加壓燒結：通過低溫和壓力輔助燒結，孔隙率<3%，支持雙面散熱設計。

▲銀燒結技術工藝流程

· 銀銅復合結構設計：芯片底部通過銀燒結（高導熱）、頂部銅片燒結（低成本高載流）與銅線鍵合（大電流互聯(lián)）的復合設計，實現(xiàn)SiC模塊的超高熱-電-機械性能平衡。

▲SiC模塊剖面圖

· 解決方案：采用ASC800N1200DCS12模塊（1200V/800A），通過銀燒結連接實現(xiàn)。

1. 熱阻降低至0.1℃/W以下，支持150℃結溫下連續(xù)工作；
2. 功率循環(huán)壽命>5萬次（ASC800N1700DCS12 過了30萬次秒級功率循環(huán)）；
3. 某車企實測數(shù)據(jù)：逆變器效率提升至98.5%，續(xù)航增加8%。

▲ASC800N1200DCS12產(chǎn)品介紹

· 解決方案：采用ASC600N1700ME3模塊（1700V/600A），結合銀燒結技術實現(xiàn)。

1. -40℃~150℃溫差下，5000次熱循環(huán)后電阻變化<1%；
2. 某工廠應用案例：

   能耗降低12%，年維護成本減少30%。

▲ASC600N1700ME3產(chǎn)品介紹

· 解決方案：采用ASC600N1200MD3模塊（1200V/600A），通過銀燒結技術實現(xiàn)。

1. 器件減重20%，滿足NASA減重標準；
2. 通過MIL-STD-810G振動測試，200℃真空環(huán)境下壽命超10萬小時。

▲ASC600N1200MD3產(chǎn)品介紹

未來，銀燒結技術將朝兩個方向迭代：

· 材料創(chuàng)新：通過納米銀顆粒的尺寸優(yōu)化，提高界面致密性降低熱阻，同時可兼容更敏感的芯片材料；進一步降低燒結溫度至180℃，降低熱應力，保護芯片。

· 成本控制：開發(fā)微米級銀膏規(guī)?；a(chǎn)工藝，推動成本降低30%以上，拓展至光伏逆變器、5G基站等民用領域。