半導體制造是典型的“精度至上”領域，尤其在前道晶圓加工和后道封裝環(huán)節(jié)中，研磨（Grinding）與拋光（Polishing）技術直接決定了器件的性能和良率。以下從技術原理、工藝難點及行業(yè)趨勢三方面展開分析。

研磨技術：晶圓減薄與表面平整化

原理：
研磨通過機械去除與化學協同作用實現材料精密去除。傳統(tǒng)研磨依賴金剛石等超硬磨料的機械切削，而新型工藝結合化學腐蝕（如機械化學研磨），可減少表面損傷并提升效率。

技術難點：

應力控制：機械研磨易引入微裂紋和殘余應力，需通過優(yōu)化磨粒尺寸、壓力及冷卻液流量降低損傷。

均勻性：300mm大尺寸晶圓的研磨需保證全片厚度誤差＜±1μm，基片尺寸增大導致研磨均勻性難以控制

趨勢：

超薄晶圓加工：針對3D封裝需求，減薄至20μm以下，需結合臨時鍵合/解鍵合技術。

復合工藝：機械研磨+濕法刻蝕，提升效率并減少缺陷。

拋光技術：原子級表面精修

化學機械拋光（CMP）：半導體拋光以CMP為主，通過化學腐蝕與機械研磨的協同作用，實現表面原子級平整（粗糙度<0.1nm）。

關鍵要素：

拋光液：含納米SiO?或CeO?顆粒的化學試劑，根據材料（Si、SiO?、Cu等）定制配方。

拋光墊：多孔聚氨酯材料，需定期修整以維持表面形貌一致性。

挑戰(zhàn)：

材料選擇性：多層結構中不同材料（如Cu與介電層）的同步拋光速率控制。

缺陷控制：微劃痕、殘留顆粒的檢測與抑制（需原位清洗+兆聲波輔助）。

新興技術：

電化學拋光（ECMP）：用于銅互連的無應力拋光，減少碟形坑（Dishing）。

等離子體拋光：針對金剛石、GaN、SiC等寬禁帶材料，實現非接觸式高精度加工。

行業(yè)技術挑戰(zhàn)與未來方向

第三代半導體的加工瓶頸：

金剛石、SiC、GaN等高硬度材料對磨拋設備提出更高要求（如SiC晶圓的研磨效率僅為硅的1/10），推動激光輔助加工、等離子體刻蝕等復合工藝發(fā)展。

大尺寸與高集成度需求：
450mm晶圓與GAA晶體管結構要求拋光全局平整度達到0.5nm以內，驅動多區(qū)壓力調節(jié)拋光頭、智能在線監(jiān)測系統(tǒng)升級。

綠色制造與成本控制：
拋光液回收、低耗材工藝（如固定磨料拋光墊）成為行業(yè)焦點，同時AI驅動的工藝參數優(yōu)化可降低20%以上能耗。

無錫鑫磊精工科技有限公司

無錫鑫磊精工科技有限公司作為一家專業(yè)從事超精密研磨拋光材料、研磨工藝及相關設備的研發(fā)、生產和經營的企業(yè)，針對三代半導體均有不同的研磨拋光解決方案，完美解決了目前市面上的半導體的磨拋問題。

提供全套的研磨拋光解決方案：

襯底客戶：提供化合物半導體研磨機、拋光機、粗磨液、精磨液、粗拋液和CMP拋光液；

后道外延芯片背面減薄客戶：提供減薄設備、耗材產品，以及匹配的粗拋墊和精拋墊。