近期，我國半導體珠海、昆山、武漢三地的百億級半導體項目紛紛刷新進度條，珠海金灣區(qū)的奕源半導體材料產(chǎn)業(yè)基地項目預計于2026年2月投產(chǎn)，昆山的立訊精密百億重大產(chǎn)業(yè)項目正式簽約落地，武漢的長飛先進武漢基地也加速沖刺量產(chǎn)。

奕源半導體百億級項目明年投產(chǎn)

據(jù)珠海市工業(yè)和信息化局消息，2月5日，珠海金灣區(qū)的奕源半導體材料產(chǎn)業(yè)基地項目傳來最新進展，一期項目預計于2026年2月實現(xiàn)投產(chǎn)。此前消息顯示，該項目整體規(guī)劃面積約267畝，總投資約100億元，主要生產(chǎn)具有全球領先工藝技術水平的合成石英部件、碳化硅功率模組載板等產(chǎn)品，計劃分兩期建成投產(chǎn)。

公開資料顯示，北京奕斯偉科技集團有限公司是國內(nèi)領先的集成電路領域產(chǎn)品和服務提供商，核心業(yè)務涵蓋以RISC-V為基礎的新一代計算架構芯片與方案、12英寸電子級硅片、集成電路生態(tài)鏈開發(fā)三大板塊。奕源半導體項目由奕斯偉集團生態(tài)鏈開發(fā)業(yè)務板塊孵化、華發(fā)集團戰(zhàn)略領投，是雙方在半導體產(chǎn)業(yè)鏈上游關鍵環(huán)節(jié)的重要布局，也是珠海2024年首個百億級招商項目。

奕斯偉集團總經(jīng)理、珠海奕源科技有限公司董事長王輝介紹，石英部件是半導體裝備核心消耗部件，奕源項目生產(chǎn)的合成石英部件相比于天然石英部件，具備純度高、耐久性強、穩(wěn)定性好、投射性強等優(yōu)勢；碳化硅功率模組載板是碳化硅模組封裝的核心組件，是解決碳化硅高功率模塊散熱和提升可靠性的關鍵材料，奕源項目采用自有E-AMB專利技術，產(chǎn)品結合強度更高、導熱率更好、可靠性更強，主要面向高端應用市場。

在此次珠海金灣區(qū)2025第一季度重點項目集中開工儀式現(xiàn)場，金灣區(qū)委書記梁耀斌表示，新的一年，金灣將突出延鏈補鏈，加快培育壯大半導體與集成電路、生物醫(yī)藥、新材料等新興產(chǎn)業(yè)，引進更多“百億級”項目和低空經(jīng)濟、新能源等未來產(chǎn)業(yè)項目等；并爭分奪秒抓實項目落地，建立制造業(yè)重點項目新投產(chǎn)、新動工、新儲備3張清單，力促鈞崴電子等73個億元以上重點項目建設提速，奕源半導體材料產(chǎn)業(yè)基地、鴻茂偏光片等104個新簽約項目加快動工，實現(xiàn)全年工業(yè)投資增長超20%。

據(jù)悉，上述提及的鈞崴電子億元項目為鈞崴電子于2022年3月與珠海市金灣區(qū)政府簽訂合作框架協(xié)議，成功落地珠海的精密電子元器件研發(fā)制造產(chǎn)業(yè)園項目。值得注意的是，今年1月10日，鈞崴電子在創(chuàng)業(yè)板正式掛牌上市，其發(fā)行募資總額6.93億元，其中多數(shù)金額將投資于珠海的“電流感測精密型電阻生產(chǎn)項目”將新建電流感測精密型電阻生產(chǎn)車間和配套倉儲設施等，助力珠海電子信息及高端制造業(yè)強鏈補鏈。

立訊百億重大產(chǎn)業(yè)項目簽約蘇州昆山

2月8日，立訊精密工業(yè)股份有限公司（以下簡稱“立訊精密”）在蘇州昆山市舉行了百億重大產(chǎn)業(yè)項目的簽約儀式。該項目總投資額高達120億元人民幣，是近三年來昆山市投資額最大的項目。項目達產(chǎn)后預計可實現(xiàn)年產(chǎn)值800億元，并將促進多家上下游企業(yè)加速集聚蘇州，為當?shù)亟?jīng)濟發(fā)展注入新動力。

據(jù)悉，此次簽約的立訊百億重大產(chǎn)業(yè)項目包括兩個主要部分。其一為新一代智能終端及穿戴產(chǎn)品項目，總投資約60億元，占地138畝。該項目將重點發(fā)展新一代智能終端及穿戴產(chǎn)品，進一步垂直整合智能手機、智能頭顯等業(yè)務的產(chǎn)能布局，打造集研發(fā)、設計、制造于一體的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)。項目達產(chǎn)后預計新增工業(yè)產(chǎn)值約600億元。

第二部分則是智能精密聲學耳機產(chǎn)品項目，總投資60億元，占地約168畝。該項目規(guī)劃建設研發(fā)中心、實驗室和系列產(chǎn)品智能制造生產(chǎn)基地，助力昆山把握聲學高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展機遇。

長飛先進武漢基地建設加力沖刺預計今年Q2量產(chǎn)通線

據(jù)湖北日報2月7日消息，長飛先進武漢基地的建設正在加速推進中，預計今年5月量產(chǎn)通線,隨后將開啟良率提升和產(chǎn)能爬坡。

公開資料顯示，長飛先進武漢基地是長飛光纖旗下的重要項目，總投資超過200億元人民幣，主要聚焦第三代半導體功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)。該項目位于武漢光谷科學島，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積約30.15萬平方米。項目建成后，預計年產(chǎn)36萬片6英寸碳化硅（SiC）晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，廣泛應用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等領域。

據(jù)悉，長飛先進武漢基地的建設目標是打造國內(nèi)領先的第三代半導體制造工廠，項目一期總投資80億元，2024年12月18日，長飛先進武漢基地舉行了首批設備搬入儀式，標志著項目進入工藝驗證新階段。該次搬入的設備涵蓋了芯片制造的各個環(huán)節(jié)，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等。目前，項目正在加速推進設備安裝調(diào)試工作。

據(jù)長飛先進總裁陳重國介紹，項目量產(chǎn)通線時間有望提前至2025年4月底或5月初。此前，項目計劃于2025年5月實現(xiàn)量產(chǎn)通線。提前量產(chǎn)通線將有助于長飛先進更快地進入市場，滿足全球?qū)μ蓟璨牧系耐⑿枨蟆?/p>

總體來看，從珠海的奕源半導體材料產(chǎn)業(yè)基地項目到昆山立訊精密的百億重大產(chǎn)業(yè)項目，再到武漢的長飛先進武漢基地，這些百億級項目的加速推進，不僅將顯著提升我國半導體產(chǎn)業(yè)的自主可控能力，還將為相關地區(qū)的經(jīng)濟發(fā)展注入強大動力。其中珠海的奕源半導體、武漢的長飛先進高度聚焦第三代半導體材料如碳化硅（SiC）的應用，將進一步推動我國第三代半導體事業(yè)，向著碳化硅器件空白市場突破發(fā)展。