由于半導體發(fā)展趨勢,在相同晶圓面積下填入更多晶體管,勢必使線寬逐漸微縮,但尺寸微縮卻有限制,其閘極線寬極限約在3~5nm間(線寬愈小則電阻值愈大),使得科學家試圖找尋在不微縮線寬尺寸下,如何以相同的制程方式提升元件效率,突破摩爾定律限制,而SOI(Silicon on Insulator)硅晶絕緣體技術,即為解決方法之一。
SEMI(國際半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會)旗下的技術社區(qū) SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(SOIIC)正式宣布新任領導層和理事會成員。此外,SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟還公布了即將舉行的最新 SOI 相關活動,活動主要面向芯片設計和開發(fā)者,以及 SOI 生態(tài)中的材料及設備廠商。 Soitec 現(xiàn)場技術負責人 Patrick Martin 先生當選為 SEMI SOI 國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟主席;格芯產(chǎn)品管理副總裁 J