• 利用理想二極管，實現(xiàn)穩(wěn)健的電源

  作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 穩(wěn)健的系統(tǒng)通常允許使用多個電源。使用多個不同電源為器件供電時，需要部署若干開關(guān)以將電源相互分隔開，以防損壞。對此，固然可在電源路徑中使用多個二極管來實現(xiàn)，但更靈活、更高效的方法是使用理想二極管。本文將介紹此類理想二極管的優(yōu)勢。文中將展示兩個版本的理想二極管：一個是無需根據(jù)電壓電平選擇輸入電源軌的理想二極管；另一個版本則更加簡單，始終由更高的

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  05/22 17:33

  電路 二極管

  
• AMEYA360 ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET 助力快速充電應(yīng)用

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

  AMEYA360

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  05/20 16:23

  快充 MOSFET
• MDDG03R04Q,低內(nèi)阻大電流 服務(wù)器和新能源的好幫手

  在服務(wù)器電源、工業(yè)驅(qū)動及新能源領(lǐng)域，MOSFET的性能直接決定系統(tǒng)的能效與可靠性。為滿足高密度、高效率需求，MDD半導(dǎo)體推出全新SGT系列MOSFET，其中MDDG03R04Q（30V N溝道增強型MOS）憑借3.5mΩ低導(dǎo)通電阻與屏蔽柵優(yōu)化技術(shù)，為同步整流、電機驅(qū)動等場景提供高效解決方案。 一、產(chǎn)品概述：PowerTrench工藝與屏蔽柵技術(shù)的融合 ? MDDG03R04Q采用MDD的Trenc

  MDD辰達半導(dǎo)體

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  05/20 10:21

  半導(dǎo)體 MOSFET
• 元器件交易動態(tài)周報-本土汽車、消費電子的強勁表現(xiàn)帶動功率器件需求上升

  核心觀點： 2025年4月，中國汽車產(chǎn)銷增長強勁，推動功率器件需求提升，尤其車規(guī)級半導(dǎo)體國產(chǎn)化空間大。二季度消費電子旺季，且國補政策影響下，需求穩(wěn)定。交貨周期方面，主流廠商的低壓與高壓Mosfets、IGBTs交貨周期多呈上升態(tài)勢，行業(yè)供應(yīng)偏緊。價格上，二極管價格微增，Mosfets價格下降，但整體行業(yè)呈現(xiàn)量增價穩(wěn)趨勢。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài)： 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動

  史德志

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  05/19 10:00

  二極管 MOSFET

  
• 確?？煽啃裕?碳化硅產(chǎn)品上市前的開發(fā)與制造

  作者：Catherine De Keukeleire，安森美寬禁帶可靠性與質(zhì)量保證總監(jiān) 從 MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。 從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車 (EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設(shè)備的持續(xù)運行。 第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導(dǎo)體技術(shù)的前沿，如使用碳化硅（SiC）。 與傳統(tǒng)的硅（Si）晶體管相比，SiC

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  05/16 16:44

  碳化硅 MOSFET

  
• ROHM推出實現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的小型MOSFET，助力快速充電應(yīng)用

  全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐壓共源Nch MOSFET*1新產(chǎn)品“AW2K21”，其封裝尺寸僅為2.0mm×2.0mm，導(dǎo)通電阻*2低至2.0mΩ（Typ.），達到業(yè)界先進水平。 新產(chǎn)品采用ROHM自有結(jié)構(gòu)，不僅提高器件集成度，還降低單位芯片面積的導(dǎo)通電阻。另外，通過在一個器件中內(nèi)置雙MOSFET的結(jié)構(gòu)設(shè)計，僅需1枚新產(chǎn)品即可滿足雙向供電電路所需的雙向保

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  05/15 16:22

  MOSFET ROHM

  
• MOSFET關(guān)斷過程中的開關(guān)損耗如何計算？800字手把手教你搞定這個電路知識點

  上一篇文章我們介紹了MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗的計算方法，接下來就講一下MOSFET在關(guān)斷過程中的交叉損耗計算，主要是要估算關(guān)斷時的交叉時間，然后算出功耗。

  硬件那點事兒

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  04/26 10:25

  MOSFET 開關(guān)損耗

  
• 優(yōu)化效率：探索有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器的二次整流電路設(shè)計和占空比的作用

  作者：GuangQi Hou，應(yīng)用工程師 摘要 有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器利用P通道MOS進行鉗位，是公認的高效率電源拓撲。該設(shè)計支持將儲存的電感能量反饋到電網(wǎng)，從而提高整體轉(zhuǎn)換器效率。為了進一步提高效率，該設(shè)計還集成了基于MOSFET的二次自整流電路。本文探討了二次整流電路面臨的設(shè)計難題，強調(diào)了優(yōu)化占空比的重要性。值得注意的是，有源鉗位正激轉(zhuǎn)換器中采用了廣泛的電源技術(shù)，本文僅介紹了其中一種。 簡介 對于

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  04/22 13:11

  ADI MOSFET

  
• MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗如何計算？1200字手把手教你搞定這個電路知識點

  MOSFET導(dǎo)通過程中的開關(guān)損耗這部分內(nèi)容是關(guān)于MOSFET在開關(guān)過程中的交叉損耗Cross Loss計算，主要涉及導(dǎo)通時間的估算和功耗分析。公式是什么？如何計算呢？設(shè)計中又有哪些需要注意的地方？接下來就把它通俗易懂地講一下。以下分析基于MOSFET驅(qū)動感性負載哦，如果是驅(qū)動阻性負載，算法是不一樣的，大家注意！

  硬件那點事兒

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  04/21 10:25

  MOSFET 開關(guān)損耗

  
• Vishay 新款Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET具有卓越的性能

  日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比，Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導(dǎo)通電阻降低了48.2 %，而電阻和柵極電荷乘積（功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中650V MO

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  04/16 08:03

  MOSFET 邊緣計算

  
• 在EMC中 MOSFET 柵極驅(qū)動電路常見類型

  在電子設(shè)備的設(shè)計中，電磁兼容（EMC）是確保設(shè)備穩(wěn)定可靠運行的關(guān)鍵因素。功率 MOSFET 作為電子電路中的重要元件，其柵極驅(qū)動電路的設(shè)計與電磁兼容密切相關(guān)。由于 MOS 管的應(yīng)用場景多樣，因此產(chǎn)生了多種類型的驅(qū)動電路，這些電路在電磁兼容性方面各有優(yōu)劣。下面我們就來詳細了解一下幾種常見的 MOSFET 柵極驅(qū)動電路。 1.IC 直接驅(qū)動型 電源控制 IC 直接驅(qū)動是最為常見且簡單的驅(qū)動方式。在電磁

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  04/15 16:28

  MOSFET 電磁兼容
• 高性能三通道雙向電源：實現(xiàn)更多測試與更高吞吐量

  隨著科技的飛速發(fā)展，測試工程師們常常面臨這樣的挑戰(zhàn)：生產(chǎn)需求超出了現(xiàn)有測試系統(tǒng)的能力，或者需要同時測試多個參數(shù)。在這種情況下，傳統(tǒng)的解決方案通常是構(gòu)建更多的測試系統(tǒng)并配備更多的測試設(shè)備，尤其是在需要多臺直流電源的大功率應(yīng)用中。然而，這種方法不僅成本高昂，還增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和維護難度。 典型應(yīng)用場景包括： 測試帶有多個逆變器和電池備份的太陽能電池組，確保其在復(fù)雜工況下的性能和可靠性； 同時為電動汽

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  04/15 08:05

  SiC 電源

  
• MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計時，為什么可以“慢”開，但是要“快”關(guān)呢？

  MOSFET作為開關(guān)器件，在驅(qū)動電路中主要用于控制電流的通斷，比如在DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動或者功率放大電路中。它的開關(guān)過程（開和關(guān)）會直接影響電路的效率、發(fā)熱和可靠性?！奥_快關(guān)”的這個設(shè)計原則，背后有什么電路設(shè)計原理呢？咱們從MOSFET的工作原理和實際應(yīng)用場景來分析分析一下。MOSFET的開關(guān)過程中開和關(guān)的本質(zhì)是什么呢？

  硬件那點事兒

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  04/10 08:30

  MOSFET 電路設(shè)計

  
• 英飛凌與科士達深入合作，全棧方案樹立UPS高效可靠新標(biāo)桿

  在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下，高頻中大功率UPS（不間斷電源）市場需求持續(xù)攀升，對能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日，英飛凌宣布與深圳科士達科技股份有限公司深化合作，通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動器等全套功率半導(dǎo)體解決方案，助力

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  04/10 08:29

  英飛凌 MOSFET

  
• SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效

  作者：安森美產(chǎn)品線經(jīng)理 Wonhwa Lee 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？ 答案是數(shù)據(jù)中心。我們對圖片、視頻和其他內(nèi)容的無盡需求，正推動著數(shù)據(jù)中心行業(yè)蓬勃發(fā)展。 國際能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行業(yè)的迅猛發(fā)展正導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心電力需求激增。預(yù)計在 2022 年到 2025 年的三年間，數(shù)據(jù)中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎(chǔ)設(shè)

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  04/10 08:24

  數(shù)據(jù)中心 MOSFET

  
• 無人機電調(diào)系統(tǒng)技術(shù)架構(gòu)與電路設(shè)計解析

  一、無人機電調(diào)（ESC）核心原理與技術(shù)架構(gòu) 1.1 電調(diào)的本質(zhì)功能 電調(diào)作為無人機動力系統(tǒng)的核心控制器件，承擔(dān)以下關(guān)鍵任務(wù)： 能量轉(zhuǎn)換：將電池直流電（DC）轉(zhuǎn)換為電機所需的三相交流電（AC），通過 PWM 信號控制占空比實現(xiàn)轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。 安全防護：集成過流、過熱、欠壓等多重保護機制，確保極端工況下的系統(tǒng)穩(wěn)定性。 智能交互：通過通信協(xié)議（如 DShot、CAN 總線）與飛控實時聯(lián)動，支持動態(tài)參數(shù)調(diào)整。

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  04/07 15:27

  MOSFET 無人機

  
• 英飛凌攜手Enphase通過600 V CoolMOS 8提升能效并降低 MOSFET相關(guān)成本

  Enphase Energy采用全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的 600 V CoolMOS? 8高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列，簡化了系統(tǒng)設(shè)計并降低了裝配成本。Enphase Energy是全球能源技術(shù)公司、基于微型逆變器的太陽能和電池系統(tǒng)的領(lǐng)先供應(yīng)商。通過使用600 V CoolMOS? 8 SJ，Enpha

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  03/27 08:28

  英飛凌 MOSFET

  
• 納祥科技30V 30A雙N溝道MOSFET NX7011，PIN TO PIN AP20G02BDF

  納祥科技NX7011采用先進的溝槽技術(shù)，提供了出色的RDS(ON)和較低的柵極電荷。該器件具有兩個獨立的 MOSFET且漏源導(dǎo)通電阻低，可最大限度地降低損耗并減少元件數(shù)，非常適合空間受限型產(chǎn)品的應(yīng)用。

  納祥科技

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  03/27 07:29

  MOSFET

  
• 這些硬件工程師技術(shù)面試題目你會嗎？

  在W35周報中分享了本科大三那會實習(xí)面試的題目，文章發(fā)布之后，很多人在大話硬件群里讓我寫一下問題的答案?？紤]到是面試的題目，用文章寫出來可能會有一些相關(guān)信息的丟失，下面就針對面試官的提問，說一下當(dāng)時是怎樣回答的，并在其中加入現(xiàn)在我對這些問題的理解。

  大話硬件

  1968

  03/26 14:05

  MOSFET 電感

  
• 2家SiC企業(yè)實現(xiàn)主驅(qū)突破，今年MOS國產(chǎn)化率將達20%？

  近日，國內(nèi)2家SiC企業(yè)先后宣布實現(xiàn)了主驅(qū)突破：● 清純半導(dǎo)體：通過大眾集團POT審核，成為大眾汽車中國本土碳化硅芯片供應(yīng)商；●?芯粵能：成功開發(fā)出第一代SiC溝槽MOSFET工藝平臺，旗下芯片有望在今年上半年上車。

  行家說三代半

  1010

  03/26 09:50

  SiC MOSFET

  

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