• 升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需求

  英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000 W [1]，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢促使數據中心機架的AC和D

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  02/24 08:11

  英飛凌 功率器件
• 白皮書導讀 | 電機驅動系統中的寬禁帶開關器件

  近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應用，并逐漸滲透到各個市場。目前，工業(yè)電機主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統硅MOSFET和IGBT作為功率開關時存在一些限制，如總體損耗較高、開關頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導體的興起，寬禁帶器件的應用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C驅動系統中的寬禁帶開關器件》白皮書共18頁，主要探討了采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬禁帶器件對電機驅動器效率的提升和應用中需要克服的設計問題。

  英飛凌

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  2024/12/26

  電機驅動 寬禁帶

  
• Nexperia與KOSTAL就先進車規(guī)級寬禁帶器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關系

  Nexperia今天宣布已與領先的汽車供應商KOSTAL（科世達）建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，旨在生產更符合汽車應用嚴苛要求的寬禁帶(WBG)器件。根據合作條款，Nexperia將開發(fā)、制造和供應由Kostal設計和驗證的寬禁帶功率電子器件。此次合作初期將專注于開發(fā)用于電動汽車(EV)車載充電器(OBC)的頂部散熱(TSC) QDPAK封裝的碳化硅(SiC) MOSFET器件。 KOSTAL Autom

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  2024/11/07

  SiC Nexperia

  
• 【向寬禁帶演進】： 您能跟上寬禁帶測試要求的步伐嗎？

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發(fā)不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。 在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率

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  2023/03/15

  測試測量 泰克
• 從測試角度看寬禁帶技術的挑戰(zhàn)，泰克為工程師提供簡化工具

  從測試的角度來看寬禁帶技術帶來的諸多挑戰(zhàn)，例如如何篩選不同廠家的器件及必要性，如何解決目前寬禁帶器件應用測試和驅動測試的難題，如何能充分發(fā)揮器件的性能等。泰克針對性的測試解決方案覆蓋了從半導體材料、生產、可靠性到電源設計應用的全流程，幫助用好寬禁帶技術，推動技術進步。 不斷增長的電力電子市場受到氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙（WBG）半導體的驅動，這些半導體目前被應用于汽車和射頻通信等

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  2022/12/28

  泰克 寬禁帶
• 知名行業(yè)領軍人物Dieter Liesabeths加入VisIC 擔任產品高級副總裁

  作為汽車應用氮化鎵（GaN）解決方案的全球領導者，VisIC Technologies LTD公司很高興地宣布： Dieter Liesabeths將加入公司，擔任產品高級副總裁。

  美通社

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  2022/10/12

  SiC GaN
• 寬禁帶

  寬禁帶是指半導體材料的能隙較大，需要較高能量才能激發(fā)載流子的現象。在電子半導體行業(yè)中具有重要意義，本文將對寬禁帶進行詳細介紹，以及其在半導體領域的應用和影響。

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  2024/11/11

  寬禁帶

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