2025年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將迎來(lái)新高峰，AI技術(shù)驅(qū)動(dòng)算力芯片、存儲(chǔ)器、SoC芯片等需求激增，能源轉(zhuǎn)型、電氣化、自動(dòng)駕駛等新興領(lǐng)域持續(xù)賦能產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)。作為中國(guó)集成電路重點(diǎn)城市，南京憑借全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同優(yōu)勢(shì)與顯著集聚效應(yīng)，成為推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心力量。 6月20-22日，2025世界半導(dǎo)體博覽會(huì)將亮相南京國(guó)際博覽中心。作為中國(guó)半導(dǎo)體領(lǐng)域極具影響力和標(biāo)志性的行業(yè)龍頭展會(huì)，也是榮獲UFI認(rèn)證的國(guó)際品牌展會(huì)，展

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，離子注入作為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，通過(guò)將特定離子加速并引入目標(biāo)材料，精準(zhǔn)地改變材料的物理、化學(xué)或電學(xué)特性。其中，硼（B）及其化合物離子注入在調(diào)節(jié)半導(dǎo)體電學(xué)性能方面發(fā)揮著重要作用，BF?和 B 注入在實(shí)際應(yīng)用中展現(xiàn)出諸多差異。

在半導(dǎo)體制造工藝中，離子注入是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件電學(xué)特性調(diào)控的核心技術(shù)之一。作為一種重要的半導(dǎo)體材料，鍺（Ge）因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì)，在離子注入過(guò)程中扮演著關(guān)鍵角色。本文將從鍺的材料特性、在離子注入中的具體應(yīng)用場(chǎng)景及對(duì)器件性能的影響展開(kāi)分析，揭示其在先進(jìn)制程中的重要價(jià)值。

約43.89億元，聞泰科技剝離產(chǎn)品集成業(yè)務(wù)

晶圓卡塞盒作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域中晶圓運(yùn)輸與存儲(chǔ)的核心載體，其高效管理與精準(zhǔn)追蹤是保障生產(chǎn)流程順暢的關(guān)鍵。RFID（無(wú)線(xiàn)射頻識(shí)別）技術(shù)的引入，為晶圓卡塞盒的追蹤、識(shí)別與數(shù)據(jù)管理提供了創(chuàng)新解決方案。 RFID設(shè)備選型 TI玻璃管標(biāo)簽 TI玻璃管標(biāo)簽主要應(yīng)用在半導(dǎo)體制造業(yè)中，幾乎可以不受任何非金屬材料的影響，可提供穩(wěn)定的讀寫(xiě)性能。采用HDX半雙工專(zhuān)利技術(shù)，符合ISO11784/5全球開(kāi)放式標(biāo)準(zhǔn)?？砂惭b在晶