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一種適用于陸地移動無線電的低成本VHF放大器設(shè)計指南

2023/04/25
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一種適用于陸地移動無線電的低成本VHF放大器設(shè)計指南

引言
本申請說明描述了一種兩級30瓦VHF放大器，通過使用新型MRF1946A功率晶體管實現(xiàn)，該放大器具有高增益、寬帶寬和突出的負載不匹配的堅固性。

它使用了適用于在超高頻區(qū)域工作的射頻功率器件的模具幾何形狀。該管芯的發(fā)射極外圍（EP）與基極面積（BA）之比為4.9，高于VHF設(shè)備的1.5至3.5的正常EP/BA范圍。芯片中的功率共享和電流共享由擴散發(fā)射極電阻器控制。

最終結(jié)果是VHF晶體管具有非常高的功率增益（10+dB），這足以使得可以采取處理步驟來提供對負載失配的容忍度，同時仍然保持優(yōu)異的性能。

通過將該芯片安裝在0.380法蘭或螺柱封裝中，并提供跨越136至220 MHz的特性數(shù)據(jù)，摩托羅拉為RF設(shè)計者提供了一個非常通用的組件。

推薦器件

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器件型號 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊 ECAD模型 風險等級 參考價格 更多信息
HSEC8-130-01-L-RA-TR 1 Samtec Inc Card Edge Connector, 60 Contact(s), 2 Row(s), Female, Right Angle, 0.032 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Black Insulator, Socket, ROHS COMPLIANT

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SRU1048-2R2Y 1 Bourns Inc General Purpose Inductor, 2.2uH, 30%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 3939, ROHS COMPLIANT

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IPW65R080CFDAFKSA1 1 Infineon Technologies AG Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3

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恩智浦

恩智浦

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。收起

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