射頻功率場效應晶體管 N溝道增強型橫向MOSFET 設計用于頻率在869至960 MHz范圍內(nèi)的GSM和GSM EDGE基站應用。適用于多載波放大器應用。

GSM應用

• 典型的GSM性能：VDD = 26伏特，IDQ = 700毫安培，Pout = 100瓦連續(xù)波，全頻帶（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 17.5 dB 漏極效率 - 60% GSM

EDGE應用 典型的GSM

• EDGE性能：VDD = 28伏特，IDQ = 650毫安培，Pout = 50瓦平均功率，全頻帶（869-894 MHz和921-960 MHz） 功率增益 - 18 dB 400 kHz偏移處的譜重構 = -63 dBc 600 kHz偏移處的譜重構 = -78 dBc EVM = 2.3% 均方根誤差
• 能夠承受10:1的駐波比，@ 26 V直流電壓，960 MHz，100瓦連續(xù)波輸出功率

特點

• 使用等效大信號阻抗參數(shù)進行特性化
• 內(nèi)部匹配，易于使用
• 最大32 VDD操作合格化
• 集成ESD保護
• 200°C耐溫塑料封裝 。
• N后綴表示無鉛引線。符合RoHS標準。
• 帶有膠帶和卷軸。R1后綴=每個44 mm、13英寸卷軸500個單位。