A2I20H080N寬帶集成電路是一種不對稱Doherty設計,具有片上匹配功能,可在1800至2200 MHz范圍內使用。該多級結構適用于26至32 V的操作,并覆蓋了所有常見的蜂窩基站調制格式。
特點包括:
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A2I20H080N 數(shù)據(jù)手冊 RF LDMOS寬帶集成功放器
A2I20H080N寬帶集成電路是一種不對稱Doherty設計,具有片上匹配功能,可在1800至2200 MHz范圍內使用。該多級結構適用于26至32 V的操作,并覆蓋了所有常見的蜂窩基站調制格式。
特點包括:
器件型號 | 數(shù)量 | 器件廠商 | 器件描述 | 數(shù)據(jù)手冊 | ECAD模型 | 風險等級 | 參考價格 | 更多信息 |
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SMBJ30CA | 1 | onsemi | 600 Watt Transient Voltage Suppressors, 3000-REEL |
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$0.3 | 查看 | |
640903-1 | 1 | TE Connectivity | (640903-1) RECEPT,PIDG FASTON 22-18 250 |
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$0.43 | 查看 | |
MMBT2907ALT1G | 1 | Rochester Electronics LLC | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN |
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$0.09 | 查看 |
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