晶振（Crystal?Oscillator）

晶振是一種能夠產(chǎn)生穩(wěn)定頻率信號(hào)的電子元件。它基于石英晶體的壓電效應(yīng)工作，當(dāng)在石英晶體兩端施加電壓時(shí)，晶體會(huì)產(chǎn)生機(jī)械振動(dòng)；反之，當(dāng)晶體受到機(jī)械應(yīng)力時(shí)，其兩端又會(huì)產(chǎn)生電壓。利用這種特性，通過適當(dāng)?shù)?a class="article-link" target="_blank" href="/design/">電路設(shè)計(jì)，就能使晶體持續(xù)穩(wěn)定地振動(dòng)，從而輸出精確的頻率信號(hào)。晶振在各類電子設(shè)備中起著至關(guān)重要的作用，如計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電子手表等，為這些設(shè)備提供穩(wěn)定的時(shí)鐘信號(hào)，確保設(shè)備各部分協(xié)調(diào)工作。

頻率（Frequency）

頻率是晶振最關(guān)鍵的參數(shù)之一，表示晶振每秒產(chǎn)生的振動(dòng)次數(shù)，單位為赫茲（Hz）。不同的電子設(shè)備對(duì)晶振頻率有不同的要求，例如，常見的微控制器可能使用8MHz、16MHz或32MHz等頻率的晶振，而通信設(shè)備中的晶振頻率則可能高達(dá)數(shù)GHz。晶振頻率的準(zhǔn)確性直接影響設(shè)備的性能，如在數(shù)字電路中，不準(zhǔn)確的時(shí)鐘頻率可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)傳輸錯(cuò)誤、系統(tǒng)運(yùn)行不穩(wěn)定等問題。

精度（Accuracy）

精度指晶振輸出頻率與標(biāo)稱頻率的偏差程度，通常以ppm（百萬分之一）為單位表示。例如，一個(gè)標(biāo)稱頻率為10MHz的晶振，精度為±10ppm，意味著其實(shí)際輸出頻率可能在9999900Hz到10000100Hz之間。高精度的晶振在對(duì)頻率穩(wěn)定性要求極高的應(yīng)用中至關(guān)重要，如全球定位系統(tǒng)（GPS），其晶振精度需達(dá)到亞ppm級(jí)別，以確保定位的準(zhǔn)確性。

負(fù)載電容（Load?Capacitance）

負(fù)載電容是與晶振一起工作的外部電容，它對(duì)晶振的頻率穩(wěn)定性有重要影響。晶振的標(biāo)稱頻率是在特定負(fù)載電容條件下確定的，一般常見的負(fù)載電容值有12.5pF、15pF、20pF等。在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中，必須根據(jù)晶振的規(guī)格選擇合適的負(fù)載電容，否則晶振的實(shí)際輸出頻率會(huì)偏離標(biāo)稱頻率。負(fù)載電容計(jì)算公式為：CL=C1*C2/(C1+C2)+Cstray，其中C1和C2是外部接入的兩個(gè)電容值，Cstray是電路板上的雜散電容。

諧振電阻（Equivalent?Series?Resistance，ESR）

諧振電阻是衡量晶振性能的一個(gè)重要指標(biāo)，它表示晶振在諧振狀態(tài)下的等效串聯(lián)電阻。ESR值越小，晶振的驅(qū)動(dòng)功率需求越低，電路越容易起振，且頻率穩(wěn)定性更好。一般來說，高品質(zhì)的晶振ESR值較低，例如，對(duì)于一些普通的32.768kHz晶振，ESR值可能在幾十到幾百歐姆之間，而在一些對(duì)功耗和頻率穩(wěn)定性要求極高的應(yīng)用中，晶振的ESR值可能低至幾歐姆。

老化率（Aging?Rate）

老化率描述了晶振頻率隨時(shí)間變化的特性，通常以ppm/年為單位。隨著時(shí)間的推移，晶振內(nèi)部的石英晶體材料會(huì)發(fā)生一些物理變化，導(dǎo)致其頻率逐漸漂移。老化率越低，晶振的長(zhǎng)期頻率穩(wěn)定性越好。例如，一款老化率為±1ppm/年的晶振，在使用一年后，其頻率漂移量最大為±1ppm。在一些需要長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行的設(shè)備中，如通信基站、天文臺(tái)等，對(duì)晶振的老化率要求非常嚴(yán)格。

溫度穩(wěn)定性（Temperature?Stability）

溫度穩(wěn)定性反映了晶振頻率隨環(huán)境溫度變化的情況。由于石英晶體的物理特性會(huì)隨溫度改變，晶振的輸出頻率也會(huì)隨之波動(dòng)。溫度穩(wěn)定性通常用ppm/℃表示，即每攝氏度溫度變化引起的頻率變化量。不同類型的晶振具有不同的溫度穩(wěn)定性，例如，普通的無源晶振溫度穩(wěn)定性可能在±20ppm/℃左右，而經(jīng)過溫度補(bǔ)償?shù)木д瘢?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/521195.html">TCXO），其溫度穩(wěn)定性可達(dá)到±0.1ppm/℃甚至更高。在一些工作環(huán)境溫度變化較大的設(shè)備中，如汽車電子、工業(yè)控制設(shè)備等，需要選用溫度穩(wěn)定性良好的晶振，以確保設(shè)備在不同溫度下都能正常工作。

起振時(shí)間（Startup?Time）

起振時(shí)間是指晶振從接通電源到輸出穩(wěn)定頻率信號(hào)所需要的時(shí)間。對(duì)于一些對(duì)系統(tǒng)啟動(dòng)速度有要求的應(yīng)用，如移動(dòng)設(shè)備、快速響應(yīng)的通信設(shè)備等，起振時(shí)間是一個(gè)重要的參數(shù)。一般來說，普通晶振的起振時(shí)間在幾毫秒到幾十毫秒之間，而一些高速晶振的起振時(shí)間可以縮短至微秒級(jí)別。起振時(shí)間的長(zhǎng)短與晶振的類型、電路設(shè)計(jì)以及負(fù)載情況等因素有關(guān)。