存儲器模組廠從2023年第三季后開始積極增加DRAM（內(nèi)存）庫存，到2024年第二季庫存水位已上升至11-17周。然而，消費電子需求未如預(yù)期回溫，如智能手機(jī)領(lǐng)域已出現(xiàn)整機(jī)庫存過高的情況，筆電市場也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場繼續(xù)萎縮。這種情況下，以消費產(chǎn)品為主的存儲器現(xiàn)貨價格開始走弱，第二季價格較第一季下跌超過30%。盡管現(xiàn)貨價至八月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價的潛在趨勢。

TrendForce集邦咨詢表示，2024年第二季模組廠在消費類NAND Flash（閃存）零售渠道的出貨量已大幅年減40%，反映出全球消費性存儲器市場正面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。存儲器產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但今年上半年的出貨下滑明顯超出市場預(yù)期，這預(yù)示著下半年的需求不會大幅回溫。

通貨膨脹和利率攀升等因素沖擊消費者支出意愿，間接導(dǎo)致消費類存儲器模組的出貨量下降。此外，NAND Flash wafer（晶圓）價格持續(xù)上漲，使得模組廠的營運成本大幅增加。然而，由于終端產(chǎn)品價格必須保持吸引力以刺激消費需求，模組廠無法反映增加的成本，利潤空間進(jìn)一步被壓縮。

TrendForce集邦咨詢指出，目前還未明確觀察到AI手機(jī)或AI PC在接下來幾季能有合理的應(yīng)用出現(xiàn)，即使?jié)B透率因平臺商推廣而有所提高，也難以帶起全面換機(jī)潮，因此無法帶動DRAM價格。

從2025年的情況來看，雖然預(yù)期DRAM價格會逐季上揚(yáng)，但原因是HBM3e（第五代高帶寬內(nèi)存）滲透率持續(xù)提升拉高均價，以及供給端缺乏新產(chǎn)能而有所限制。如果消費性需求持續(xù)疲軟，DRAM價格上漲的幅度將低于預(yù)期。